9月24日消息,，據(jù)臺(tái)媒《自由時(shí)報(bào)》報(bào)道,，臺(tái)積電位于高雄的首座2nm晶圓廠(chǎng)即將完工，半導(dǎo)體廠(chǎng)務(wù)相關(guān)供應(yīng)商已接獲臺(tái)積電的通知,，預(yù)計(jì)今年12月起展開(kāi)設(shè)備裝機(jī),，按照廠(chǎng)務(wù)系統(tǒng)、水電氣配管道作業(yè)時(shí)間估算,，高雄廠(chǎng)試產(chǎn)時(shí)間最快將在明年第二季,。

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈指出，臺(tái)積電高雄首座2nm晶圓廠(chǎng)（P1）正加速建廠(chǎng)中,，月產(chǎn)能規(guī)劃2萬(wàn)片,，該廠(chǎng)區(qū)第二座2nm晶圓廠(chǎng)（P2）預(yù)計(jì)月產(chǎn)能也是2萬(wàn)片，裝機(jī)時(shí)間預(yù)計(jì)將在明年下半年到后年初,。

相比之下,，臺(tái)積電新竹科學(xué)園區(qū)的寶山2nm晶圓廠(chǎng)（P1）進(jìn)度更快，在今年二季度已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行設(shè)備安裝工程,，預(yù)計(jì)今年四季度或者明年一季度將會(huì)試產(chǎn),，后續(xù)的寶山第二座晶圓廠(chǎng)（P2）也將于2025年下半年開(kāi)始生產(chǎn)2nm制程技術(shù)。

根據(jù)臺(tái)積電的資料顯示,，其2nm制程將會(huì)采取全新的環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu),，與3nm制程相比，2nm制程性能將提高10%~15%,，或功耗降低30%,。

臺(tái)積電最大客戶(hù)蘋(píng)果公司預(yù)計(jì)將會(huì)是其2nm制程的首家客戶(hù)，比較2nm制程初期良率有限,，成本也必然很高。后續(xù)包括英特爾,、AMD,、英偉達(dá)、聯(lián)發(fā)科等廠(chǎng)商也將會(huì)陸續(xù)采用。

臺(tái)積電表示,，相較于N2P制程,，A16在相同Vdd（工作電壓）下，速度增快8-10%,，在相同速度下,，功耗降低15-20%，芯片密度提升高達(dá)1.10倍,，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心產(chǎn)品,。