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2025年全球HBM產(chǎn)能將同比大漲117%

2024-10-17
來源:芯智訊

10月16日,市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce在“AI 時代半導體全局展開──2025 科技產(chǎn)業(yè)大預測”研討會上指出,隨著全球前三大HBM廠商持續(xù)擴大產(chǎn)能,,預計2025年全球HBM產(chǎn)能將同比大漲117%,。

TrendForce 分析師王豫琪表示,從HBM產(chǎn)品類型來看,,由于英偉達(NVIDIA)自Blackwell GPU開始,,新產(chǎn)品會逐步轉(zhuǎn)往12 層HBM3e,明年HBM3e 將取代HBM3 成主流產(chǎn)品,,占整體HBM市場需求的89%,。由于HBM3e 平均售價(ASP)大約是傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品的3-5倍,隨著HBM3e產(chǎn)能的持續(xù)擴張,,營收貢獻將逐季增長,。至于中國大陸的HBM營收主要來自于HBM2e 帶來的貢獻。

目前SK海力士,、美光,、三星這三大存儲芯片廠商的12 層HBM3e 都在向英特爾送樣驗證階段,預期后續(xù)驗證完成,、良率提升后,,出貨量將大幅提升。

對于NAND Flash市場,,TrendForce 研究經(jīng)理敖國鋒表示,,NAND Flash 供應商經(jīng)歷2023 年巨額虧損后,資本支出轉(zhuǎn)趨保守,。同時,,DRAM 和HBM 等存儲產(chǎn)品需求受惠AI 浪潮,,將排擠2025年NAND Flash 設(shè)備投資,使過去嚴重供過于求的市況將有所緩解,。不過,,AI 應用對高速、大容量儲存的需求日益增加,,也將推動Enterprise SSD (eSSD) 市場的蓬勃發(fā)展,。


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