11月4日消息,，據(jù)《日經(jīng)亞洲》報導(dǎo)，全球最大的晶圓代工廠商臺積電（TSMC）年底前會收到ASML最先進(jìn)的High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外）光刻機(jī),，每臺售價超過3.5億美元,，能使半導(dǎo)體制造商制造線寬更小的芯片。

此前臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示,，雖然對High NA EUV能力印象深刻,，但設(shè)備價格過高。臺積電依靠現(xiàn)有EUV能力可支持芯片生產(chǎn)到2026年底,，屆時其A16制程技術(shù)也將依靠目前的標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)來量產(chǎn),。

據(jù)介紹，A16將結(jié)合臺積電的超級電軌（Super PowerRail）構(gòu)架與納米片晶體管,，預(yù)計于2026年量產(chǎn),。相較于N2P制程,，A16在相同Vdd（工作電壓）下,，速度增快8-10%，在相同速度下,，功耗降低15-20%,，芯片密度提升高達(dá)1.10倍，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心產(chǎn)品,。

最新的消息顯示,，臺積電考慮用High NA EUV微影曝光機(jī)生產(chǎn)A10制程芯片，比其計劃于2025年底2nm領(lǐng)先約兩代,，這也代表了2030年后才能看到這種機(jī)器大規(guī)模量產(chǎn),。

相對于臺積電的對High NA EUV光刻機(jī)采用的謹(jǐn)慎態(tài)度，希望通過High NA EUV光刻機(jī)來加速先進(jìn)制程工藝研發(fā),，以實現(xiàn)超越臺積電的英特爾則相對比較激進(jìn),，今年一季度英特爾俄勒岡州晶圓廠就接收了全球第一套High NA EUV光刻機(jī)，截至目前該晶圓廠已經(jīng)完成了兩臺High NA EUV光刻機(jī)的安裝,。英特爾將會先將其用于Intel 18A制程的相關(guān)測試,，以積累經(jīng)驗，未來將被用于Intel 14A的量產(chǎn),。

消息人士還表示,，ASML的另一競爭對手三星也將于2025年第一季將安裝第一套High NA EUV光刻機(jī),。

當(dāng)然，取得ASML最先進(jìn)的為High NA EUV光刻機(jī)并不意味著代表企業(yè)就能順利的進(jìn)入“埃米級”制程領(lǐng)域,。相反的,，目前各大半導(dǎo)體制造企業(yè)正在投資大量經(jīng)費，用以開發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù),，已進(jìn)一步在封裝中放入更多的芯片,，帶動芯片的性能。因此,，即便High NA EUV較目前的標(biāo)準(zhǔn)EUV具備更精細(xì)的分辨率效果,，但芯片制造商仍必須進(jìn)行進(jìn)一步的設(shè)計調(diào)整，進(jìn)而生產(chǎn)更先進(jìn)的芯片,。

另外,，High NA EUV光刻機(jī)體積比目前的標(biāo)準(zhǔn)EUV體積大得多，高度也更高,，這也使得一些新建的晶圓廠才能夠滿足該光刻機(jī)的安裝要求,。

目前，包括英特爾,、三星和臺積電是市場中利用ASML High NA EUV來開發(fā)更先進(jìn)芯片的“唯三”企業(yè),。ASML表示，當(dāng)前僅收到了10到20臺這些價值數(shù)億美元的設(shè)備訂單,。也因為市場需求的稀少,，ASML High NA EUV光刻機(jī)的成本在較長時間內(nèi)將難以降低，后續(xù)更新一代的光刻機(jī)的研發(fā)可能也將會受到影響,。