12月4日消息,，據(jù)《韓國經(jīng)濟新聞》報道稱，傳聞韓國存儲芯片大廠SK海力士（SK Hynix）應(yīng)重要客戶的要求,，將于2025年下半以臺積電3nm制程為客戶生產(chǎn)定制化的第六代高頻寬內(nèi)存HBM4,。

報道稱，消息人士透露,，SK海力士已決定與臺積電合作,，最快明年3月就會發(fā)布一款采用臺積電3nm制程生產(chǎn)的基礎(chǔ)裸片（base die）的垂直堆疊HBM4原型，而主要出貨的客戶是英偉達（NVIDIA）,。

HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基礎(chǔ)裸片（Base Die）,，但是HBM4則會將DRAM Base Die 改成Logic Base Die，以推動性能和能效進一步提升,。具體來說,，這個Logic Base die是連接AI加速器內(nèi)部圖形處理單元（GPU）和DRAM的必備組件，位于DRAM的底部，主要充當GPU和內(nèi)存之間的一種控制器,，并且這個Logic Base Die與之前的Base Die不同,，它可以讓客戶自行設(shè)計，可以加入客戶自己的IP,，有利于HBM實現(xiàn)定制化,，從而讓數(shù)據(jù)處理更為高效。預計可以將功耗大幅降低至之前的30%,。

根據(jù)現(xiàn)有的消息來看,，SK海力士會將其HBM4的base die交由臺積電3nm制程制造，有望相比之前的傳聞的5nm制程帶來20-30%的提升,。而三星的HBM4的base die此前傳聞將會采用4nm制程制造,，這也意味著SK海力士的HBM4可能將會比三星更具優(yōu)勢。

不過,，據(jù)爆料人士@Jukanlosreve 于11月3日通過社交平臺X指出，SK海力士之所以改為采用臺積電3nm制程來制造HBM4 Base Die ,，是為了應(yīng)對三星以4nm來生產(chǎn)HBM4 Base Die 的聲明,。結(jié)果，三星現(xiàn)在也考慮以3nm生產(chǎn)HBM4 Base Die ,，甚至可能選用臺積電的3nm制程,。