《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 可編程邏輯 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > Stratix II器件的外部存儲(chǔ)器接口選擇

Stratix II器件的外部存儲(chǔ)器接口選擇

2008-07-09
作者:Paul Evans

??? 用戶在實(shí)現(xiàn)DDR或者DDR2 SDRAM接口時(shí),,怎樣選擇合適的Altera?Stratix?II,、Stratix II GX和HardCopy?II器件的外部存儲(chǔ)器接口" title="存儲(chǔ)器接口">存儲(chǔ)器接口方案,一般有兩種選擇:
??? 有兩種選擇:
??? (1)新的altmemphy宏功能(支持Altera的高性能" title="高性能">高性能DDR/DDR2 SDRAM控制器或者用戶控制器)。
??? (2)已有的集成靜態(tài)數(shù)據(jù)通路和控制器(例如,,DDR和DDR2 SDRAM控制器MegaCore?功能)。
??? 表1簡(jiǎn)要介紹了其他Altera FPGA系列對(duì)新的altmemphy宏功能以及已有的MegaCore功能的支持,。

?

?

1 Altmemphy + 控制器與已有的靜態(tài)時(shí)序結(jié)合的數(shù)據(jù)通路和控制器IP
??? 已有內(nèi)核采用靜態(tài)時(shí)序分析,、提供集成數(shù)據(jù)通路和控制器的方案,但是限于在267MHz(533Mbps)頻率下工作,。
??? 新的altmemphy宏功能采用分離PHY和控制器的方法,。PHY自動(dòng)校準(zhǔn),然后跟蹤電壓和溫度變化,,支持Stratix II器件工作在333MHz(667Mbps)頻率下(Stratix III器件是400MHz),。定義良好的控制器接口支持專用控制器開(kāi)發(fā)。Altera公司建議所有新的Stratix II設(shè)計(jì)盡可能使用新的自校準(zhǔn)PHY,,而altmemphy宏功能使用高性能控制器或者單獨(dú)的定制控制器,。
2 新的自校準(zhǔn)PHY的優(yōu)點(diǎn)
??? 自校準(zhǔn)PHY明顯比已有的存儲(chǔ)器接口控制器" title="接口控制器">接口控制器的MegaCore功能強(qiáng)大。自校準(zhǔn)PHY在啟動(dòng)時(shí)進(jìn)行校準(zhǔn),,能夠補(bǔ)償FPGA和外部存儲(chǔ)器的工藝變化,。而且,,自校準(zhǔn)PHY可以跟蹤并消除FPGA的電壓和溫度變化,維持工藝,、電壓和溫度的最大設(shè)置,,保持余量不變。對(duì)于工作在頻率為200MHz(400Mbps)以上的接口,,自校準(zhǔn)PHY比已有方案使用更少的PLL,。
3 200MHz以上(反饋PLL設(shè)計(jì))
??? 雖然已有內(nèi)核能夠支持267MHz(533Mbps)頻率工作,Altera公司還是強(qiáng)烈建議使用altmemphy,。因?yàn)橐延袃?nèi)核的性能如果要超過(guò)200MHz,,DDR2 SDRAM接口必須使用反饋PLL模式,且2-PLL方案要求手動(dòng)設(shè)置,,進(jìn)行編譯迭代,。而新的自校準(zhǔn)PHY釋放了一個(gè)PLL,自動(dòng)選擇重新同步和后同步相位,。
4 棄舊用新
??? 不同方案的外部存儲(chǔ)器接口(DDR/DDR2 SDRAM)引腳并沒(méi)有變化,,但新老方案的內(nèi)部引腳有所不同。需要特別指出的是,,目前的altmemphy只適用于半速率方案(參見(jiàn)后面對(duì)“半速率”的解釋),。在實(shí)際中,這意味著用戶側(cè)讀寫(xiě)總線寬度是已有內(nèi)核的一倍,。Quartus?II 7.1將支持全速率方案,。采用新的自校準(zhǔn)PHY時(shí)需要對(duì)現(xiàn)有系統(tǒng)邏輯進(jìn)行部分改動(dòng),但是采用新的自校準(zhǔn)PHY其優(yōu)點(diǎn)要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于對(duì)系統(tǒng)級(jí)邏輯的微小改動(dòng),。
5 移植
??? Stratix II的現(xiàn)有存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)可以移植到Stratix III器件,。但是,Altera公司強(qiáng)烈建議進(jìn)行更新,。如果出于某種原因,,您不能使用新的自校準(zhǔn)PHY,希望移植現(xiàn)有設(shè)計(jì),,請(qǐng)聯(lián)系您當(dāng)?shù)氐匿N售代表,,了解更詳細(xì)的信息。如果使用自己的控制器,,則可以利用altmemphy宏功能,,將已有數(shù)據(jù)通路更新為自校準(zhǔn)PHY。
6 工作頻率
??? 圖1所示為新的altmemphy(外部和用戶側(cè))和已有內(nèi)核方案的工作頻率" title="工作頻率">工作頻率,。

?

?

7 半速率和全速率
??? 圖2所示為全速率和半速率控制器處理數(shù)據(jù)時(shí),,數(shù)據(jù)通路寬度和頻率的不同之處。實(shí)例顯示了一個(gè)200MHz(400Mbps) 頻率的DDR接口。

?


??? 半速率和全速率的定義如表2所示,。

?


??? 傳統(tǒng)的半速率和全速率方案的對(duì)比如表3所示,。

?


??? 半速率只要求邏輯頻率為外部存儲(chǔ)器接口的一半,從而簡(jiǎn)化了內(nèi)部設(shè)計(jì),。然而,,半速率方案的延遲要大于已有的和全速率方案。半速率還要求內(nèi)部數(shù)據(jù)總線寬度是已有的和全速率內(nèi)部數(shù)據(jù)總線的一倍,。
??? 如果應(yīng)用半速率方案,,引腳應(yīng)該比內(nèi)部邏輯設(shè)計(jì)以更大的速率觸發(fā)的情況。例如,,Nios?II處理器為100MHz,數(shù)據(jù)寬度為32位,,若使用全速率或者已有的方案,,DDR接口可運(yùn)行在100MHz、數(shù)據(jù)寬度為16位的條件下,;而使用半速率方案,,DDR接口可運(yùn)行在200MHz、數(shù)據(jù)寬度為8位的條件下,。維持與上面相同的帶寬,,Nios II處理器,在100MHz時(shí),,仍然能夠采用16位數(shù)據(jù)寬度工作,。或者外部DQ存儲(chǔ)器接口寬度保持16位不變,,100MHz時(shí)內(nèi)部寬度為64位(與全速率方案相同的DQ引腳數(shù)量),,即在內(nèi)部邏輯頻率受限、外部引腳數(shù)量給定時(shí),,半速率方案支持的帶寬要加倍,。
8 HardCopy II器件
??? Quartus II軟件6.1的altmemphy不支持HardCopy II器件。Quartus II軟件7.1將開(kāi)始支持HardCopy II器件的altmemphy,。
9 選擇流程圖
??? 當(dāng)要為設(shè)計(jì)選擇最合適方案時(shí),,可以把圖3當(dāng)做決策樹(shù)。


??? Stratix II系列器件為低延遲" title="低延遲">低延遲和高頻應(yīng)用提供了豐富的外部存儲(chǔ)器接口,。本技術(shù)摘要綜合對(duì)比了各種選擇,,幫助您選擇最合適的解決方案。

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問(wèn)題,,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。