引 言

    嵌入式DDR（Double Data Rate，雙數(shù)據(jù)速率）設(shè)計(jì)是含DDR的嵌入式硬件設(shè)計(jì)中最重要和最核心的部分,。隨著嵌入式系統(tǒng)的處理能力越來(lái)越強(qiáng)大,，實(shí)現(xiàn)的功能越來(lái)越多，系統(tǒng)的工作頻率越來(lái)越高,，DDR的工作頻率也逐漸從最低的133 MHz提高到200 MHz,，從而實(shí)現(xiàn)了更大的系統(tǒng)帶寬和更好的性能。然而,，更高的工作頻率同時(shí)也對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性提出了更高的要求,，這需要硬件設(shè)計(jì)者對(duì)電路的布局走線有更多的約束和考慮。而影響整個(gè)系統(tǒng)能否工作正常且穩(wěn)定的最重要的部分就是DDR部分的電路設(shè)計(jì),。

    嵌入式系統(tǒng)使用DDR內(nèi)存,，可以在傳統(tǒng)的單數(shù)據(jù)數(shù)率內(nèi)存芯片上實(shí)現(xiàn)更好的性能。DDR允許在不增加時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)位寬的條件下,，一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)能夠處理兩個(gè)操作,。增加的數(shù)據(jù)總線性能是由于源同步數(shù)據(jù)選通允許數(shù)據(jù)同時(shí)在選通脈沖的上升沿和下降沿被獲取。

    DDR雖然能夠給嵌入式設(shè)計(jì)帶來(lái)更好的性能,，但是設(shè)計(jì)者必須比以往的SDR設(shè)計(jì)更小心地處理DDR部分的PCB布線部分,，否則不僅不能實(shí)現(xiàn)好的性能，整個(gè)嵌人式系統(tǒng)的穩(wěn)定性也會(huì)受到影響,。DDR比傳統(tǒng)的SDR有更短的信號(hào)建立保持時(shí)間,、更干凈的參考電壓、更緊密的走線匹配和新的I／O口信號(hào),，并且需要合適的終端電阻匹配,。這些都是要面對(duì)的新的挑戰(zhàn)。

    1 DDR總線結(jié)構(gòu)

    對(duì)于DDR內(nèi)存,，JEDEC建立和采用了一個(gè)低壓高速信號(hào)標(biāo)準(zhǔn),。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)稱(chēng)為“短截線串聯(lián)終結(jié)邏輯（StubSeries Terminated Logic，SSTL）”,。SSTL能夠改進(jìn)數(shù)據(jù)通過(guò)總線傳輸?shù)男盘?hào)完整性,，這種終端設(shè)計(jì)的目的是防止在高速傳輸下由于信號(hào)反射導(dǎo)致的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。

    在一個(gè)典型的內(nèi)存拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，如果使用了串聯(lián)匹配電阻（RS）,，那么它應(yīng)該放在遠(yuǎn)離DDR控制器的位置,。這種方法能夠節(jié)約控制器附近寶貴的電路板空間，避免布線擁塞和繁瑣的引腳扇出,；而且也優(yōu)化了從控制器到內(nèi)存芯片的信號(hào)完整性,，在這些位置往往有很多地址和命令信號(hào)需要可靠地被多個(gè)內(nèi)存接收。

    最普通的SSTL終端模型是一種較好的單終端和并聯(lián)終端方案,，如圖1所示。這種方案包含使用一個(gè)串聯(lián)終端電阻（Rs）從控制器到內(nèi)存,，以及一個(gè)并聯(lián)終端電阻（RT）上拉到終端電壓（VTT）,。這種方法常見(jiàn)于商用電腦的主板上，但目前的嵌入式主板上為了獲得更好的信號(hào)完整性和系統(tǒng)穩(wěn)定性,，也常常使用,。RS和RT的值是信賴(lài)于具體的系統(tǒng)的，應(yīng)該由板級(jí)仿真確定具體的值,。
   

     2.3 信號(hào)組布線順序

     為了確保DDR接口最優(yōu)化,，DDR的布線應(yīng)該按照如下的順序進(jìn)行：功率、電阻網(wǎng)絡(luò)中的pin腳交換,、數(shù)據(jù)信號(hào)線布線,、地址／命令信號(hào)布線、控制信號(hào)布線,、時(shí)鐘信號(hào)布線,、反饋信號(hào)布線。

     數(shù)據(jù)信號(hào)組的布線優(yōu)先級(jí)是所有信號(hào)組中最高的,，因?yàn)樗ぷ髟?倍時(shí)鐘頻率下,，它的信號(hào)完整性要求是最高的。另外,，數(shù)據(jù)信號(hào)組是所有這些信號(hào)組中占最大部分內(nèi)存總線位寬的部分,，也是最主要的走線長(zhǎng)度匹配有要求的信號(hào)組。

     地址,、命令,、控制和數(shù)據(jù)信號(hào)組都與時(shí)鐘的走線有關(guān)。因此,，系統(tǒng)中有效的時(shí)鐘走線長(zhǎng)度應(yīng)該滿(mǎn)足多種關(guān)系,。設(shè)計(jì)者應(yīng)該建立系統(tǒng)時(shí)序的綜合考慮，以確保所有這些關(guān)系都能夠被滿(mǎn)足,。

     2.4 各組信號(hào)布線長(zhǎng)度匹配

     時(shí)鐘信號(hào)：以地平面為參考,，給整個(gè)時(shí)鐘回路的走線提供一個(gè)完整的地平面，給回路電流提供一個(gè)低阻抗的路徑。由于是差分時(shí)鐘信號(hào),，在走線前應(yīng)預(yù)先設(shè)計(jì)好線寬線距,，計(jì)算好差分阻抗，再按照這種約束來(lái)進(jìn)行布線,。所有的DDR差分時(shí)鐘信號(hào)都必須在關(guān)鍵平面上走線,，盡量避免層到層的轉(zhuǎn)換。線寬和差分間距需要參考DDR控制器的實(shí)施細(xì)則,，信號(hào)線的單線阻抗應(yīng)控制在50～60 Ω,，差分阻抗控制在100～120 Ω。時(shí)鐘信號(hào)到其他信號(hào)應(yīng)保持在20 mil*以上的距離來(lái)防止對(duì)其他信號(hào)的干擾,。蛇形走線的間距不應(yīng)小于20 mil,。串聯(lián)終端電阻RS值在15～33Ω，可選的并聯(lián)終端電阻RT值在25～68 Ω,，具體設(shè)定的阻值還是應(yīng)該依據(jù)信號(hào)完整性仿真的結(jié)果,。

     數(shù)據(jù)信號(hào)組：以地平面為參考，給信號(hào)回路提供完整的地平面,。特征阻抗控制在50～60 Ω,。線寬要求參考實(shí)施細(xì)則。與其他非DDR信號(hào)間距至少隔離20 mil,。長(zhǎng)度匹配按字節(jié)通道為單位進(jìn)行設(shè)置,，每字節(jié)通道內(nèi)數(shù)據(jù)信號(hào)DQ、數(shù)據(jù)選通DQS和數(shù)據(jù)屏蔽信號(hào)DM長(zhǎng)度差應(yīng)控制在±25 mil內(nèi)(非常重要),，不同字節(jié)通道的信號(hào)長(zhǎng)度差應(yīng)控制在1 000 mil內(nèi),。與相匹配的DM和DQS串聯(lián)匹配電阻RS值為0～33 Ω，并聯(lián)匹配終端電阻RT值為25～68Ω,。如果使用電阻排的方式匹配,，則數(shù)據(jù)電阻排內(nèi)不應(yīng)有其他DDR信號(hào)。

     地址和命令信號(hào)組：保持完整的地和電源平面,。特征阻抗控制在50～60 Ω,。信號(hào)線寬參考具體設(shè)計(jì)實(shí)施細(xì)則。信號(hào)組與其他非DDR信號(hào)間距至少保持在20 mil以上,。組內(nèi)信號(hào)應(yīng)該與DDR時(shí)鐘線長(zhǎng)度匹配,，差距至少控制在25 mil內(nèi)。串聯(lián)匹配電阻RS值為O～33 Ω,，并聯(lián)匹配電阻RT值應(yīng)該在25～68 Ω,。本組內(nèi)的信號(hào)不要和數(shù)據(jù)信號(hào)組在同一個(gè)電阻排內(nèi)。

     控制信號(hào)組：控制信號(hào)組的信號(hào)最少,，只有時(shí)鐘使能和片選兩種信號(hào),。仍需要有一個(gè)完整的地平面和電源平面作參考。串聯(lián)匹配電阻RS值為O～33 Ω，并聯(lián)匹配終端電阻RT值為25～68 Ω,。為了防止串?dāng)_,，本組內(nèi)信號(hào)同樣也不能和數(shù)據(jù)信號(hào)在同一個(gè)電阻排內(nèi)。

     2.5 電源部分的設(shè)計(jì)分析

     通常情況下,，DDR供電電壓是2.3～2.7 V,，典型值是2.5 V，工作頻率的不同可能引起正常工作電壓的不同,。參考電壓VREF是1.13～1.38 V,，典型值是1.25 V。VTT以VREF為參考,，電壓范圍是(VREF-0.4 V)-(VREF+0.4 V),。由于VREF只是給差分接收器端提供一個(gè)直流參考電平，所以電流比較小,，最大只有3 mA。VTT的電流由于上拉的緣故,，在輸出端輸出高電平時(shí),，VTT應(yīng)能流入電流；在輸出端輸出低電平時(shí)VTT電流輸出,。故VTT必須能同時(shí)有流入和流出電流,，電流的大小依賴(lài)于總線上同時(shí)出現(xiàn)的電位狀態(tài)，從常用的設(shè)計(jì)來(lái)看最大可以從2.3 A到3.2 A,。

     由于VREF電壓作為其他信號(hào)接收端的重要參考,，故它的布線設(shè)計(jì)也是十分重要的。疊加在VREF電壓的串?dāng)_或噪聲能直接導(dǎo)致內(nèi)存總線發(fā)生潛在的時(shí)序錯(cuò)誤,、抖動(dòng)和漂移,。很多電源芯片會(huì)把VREF和VTT從同一源輸出，但是由于使用的目的不同,，走線也完全不同,。VREF最好和VTT在不同平面，以免VTT產(chǎn)生的噪聲干擾VREF,。而且無(wú)論是在DDR控制器端還是DDR存儲(chǔ)器端,，VREF腳附近都應(yīng)放置去耦電容，消除高頻噪聲,。VREF的走線寬度應(yīng)該越寬越好,，最好為20～25 mil。

     VTT電源應(yīng)該單獨(dú)劃分一塊平面來(lái)供應(yīng)電流,，且最好放在DDR存儲(chǔ)器端,。如果并聯(lián)終端匹配使用排阻的方式上拉，那么最好每個(gè)排阻都添加一個(gè)0.1 μF或0.01μF的去耦電容，這對(duì)于改善信號(hào)的完整性,、提高DDR總線的穩(wěn)定性都有很好的效果,。

     結(jié) 語(yǔ)

     在帶有DDR的嵌入式系統(tǒng)主板中，設(shè)計(jì)PCB最難的部分莫過(guò)于DDR的走線設(shè)計(jì),。好的走線就等于有了好的信號(hào)完整性和好的時(shí)序匹配,，總線在高速輸入／輸出數(shù)據(jù)過(guò)程中就不會(huì)出錯(cuò)，甚至能夠有更好的抗串?dāng)_和EMC能力,。DDR總線并行傳輸且速率較高,，在設(shè)計(jì)過(guò)程中如果沒(méi)有按照嚴(yán)格的約束進(jìn)行布線，在設(shè)備后期調(diào)試過(guò)程中,，將會(huì)出現(xiàn)各種各樣異常問(wèn)題,，甚至是系統(tǒng)根本無(wú)法啟動(dòng)。而這些問(wèn)題在查找和調(diào)試中很難發(fā)現(xiàn),，以至于無(wú)法完成硬件的開(kāi)發(fā),。最好的方法就是在設(shè)計(jì)時(shí)就充分考慮信號(hào)完整性和時(shí)序匹配的問(wèn)題，在走線時(shí)就把這些規(guī)則運(yùn)用進(jìn)去,；如果有條件,，可以做一下仿真，預(yù)先驗(yàn)證一下設(shè)計(jì),。這樣做出來(lái)的設(shè)計(jì),，系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性才會(huì)更高。