中國(guó)上海,，2010年9月10日——上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體),，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一,，宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個(gè)產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段,。
　
　　宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其基于SST SuperFlash®(1)上已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù),。閃存單元尺寸只有0.38平方微米,，是目前0.13微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上最小的單元尺寸,，其卓越的性能還能支持最大到16Mbit的SoC設(shè)計(jì),，在業(yè)內(nèi)十分具有競(jìng)爭(zhēng)力,。
　
　　這一最小的單元同時(shí)還滿足了編程效率高和無(wú)過(guò)度擦除的需求,，能讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)出更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的嵌入式閃存單元,。此新技術(shù)還具有極高的耐擦寫能力和數(shù)據(jù)保持特性，可重復(fù)擦寫10萬(wàn)次,，數(shù)據(jù)可保留100年,。
　
　　宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程為客戶提供了兩種解決方案。Dual-gate特別適合SIM card的客戶,，由于其光罩層數(shù)少,，模塊尺寸小等優(yōu)勢(shì)，在市場(chǎng)上已經(jīng)成為性價(jià)比最高的解決方案,。而Triple-gate適用于通用和低壓產(chǎn)品,，應(yīng)用范圍廣泛，包括MCU,、U盤,、智能卡以及汽車電子市場(chǎng)。
　
　　宏力半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)大量生產(chǎn)驗(yàn)證的0.13微米嵌入式閃存制程與其0.13微米通用和低壓邏輯制程完全匹配,，因此易于遷移,。對(duì)客戶而言，良好的兼容特性保證了現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)和IP能夠與新制程無(wú)縫銜接,。
　
　　 “自2008年起,，宏力半導(dǎo)體已經(jīng)生產(chǎn)了成千上萬(wàn)片0.18微米的嵌入式閃存晶圓，極小的單元尺寸和極少的光罩?jǐn)?shù),，在業(yè)內(nèi)極具優(yōu)勢(shì),，也讓宏力半導(dǎo)體宏力迅速在智能卡市場(chǎng)占據(jù)了份額。與此同時(shí),，我們還始終保持著95%以上的良率,，因而贏得了客戶對(duì)我們的信賴。” 宏力半導(dǎo)體銷售市場(chǎng)服務(wù)單位資深副總衛(wèi)彼得博士表示,，“宏力半導(dǎo)體將于今年年底完成基于0.13微米節(jié)點(diǎn)的單元縮小的研發(fā)工作，這個(gè)全新且極具競(jìng)爭(zhēng)力的嵌入式閃存制程將針對(duì)高容量的產(chǎn)品應(yīng)用,。”
　
　　(1) SuperFlasch® technology is licensed from Silicon Storage Technology, Incorporated (“SST”). SuperFlash® is a registered trademark of SST.
　　
關(guān)于宏力
　　宏力半導(dǎo)體是一家專業(yè)半導(dǎo)體代工廠,，致力于提供高品質(zhì)服務(wù)和先進(jìn)增值技術(shù)，包括嵌入式非揮發(fā)性記憶體,、高壓,、低漏電工藝等。公司于2003年投產(chǎn),，一直是業(yè)內(nèi)成長(zhǎng)最快的公司之一,。公司位于上海浦東張江高科技園區(qū)，員工超過(guò)1,700人,。上海聯(lián)和投資有限公司,、香港長(zhǎng)江實(shí)業(yè)及和記黃埔是宏力半導(dǎo)體的主要投資方,。其他主要投資方還包括美國(guó)超捷，日本三洋,，及私募資金湛思國(guó)際和UCL Asia,。