國際整流器公司 (International Rectifier,，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝,，為電信,、網(wǎng)絡通信和高端臺式機及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器提供了高密度,、可靠和高效率的解決方案。
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是生產(chǎn)技術改進的成果,，以全新緊湊的占位空間提供比標準PQFN 3 x 3器件高出多達60%的負載電流能力,，同時極大地減少了整體封裝電阻，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ,。除了低導通電阻,，新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導率并提高了可靠性，且符合工業(yè)標準及MSL1濕度敏感性測試,。
這一高性能PQFN封裝技術也適用于5 x 6 mm占位面積的器件,，與標準PQFN 5 x 6 器件相比，在設計要求更多電流時無需增加額外占位面積。
該系列產(chǎn)品包括用作控制MOSFET的優(yōu)化器件,，具有低柵極導通電阻 (Rg) ,，以減少開關損耗。在同步MOSFET應用方面,，新器件以FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供,，從而縮短反向恢復時間，以提高效率和EMI性能,。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“全新系列高性能PQFN封裝器件專為DC-DC應用優(yōu)化,，是非常可靠且靈活的高密度解決方案,。此外,，隨著IR對PQFN產(chǎn)品的擴展，客戶現(xiàn)在可以從眾多封裝組合中挑選出使他們的設計達到最佳效果的產(chǎn)品,。”
新器件的高度小于1 mm,，與現(xiàn)有表面貼裝技術兼容，并擁有行業(yè)標準引腳,，還符合電子產(chǎn)品有害物質限制指令 (RoHS) ,。
產(chǎn)品規(guī)格
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器件編號 |
封裝 |
BVDSS (V) |
最大VGS (V) |
在10V下典型/最大RDSon (mΩ) |
在4.5V下典型/最大RDSon (mΩ) |
在4.5V下典型Qg(nC) |
額外 芯片 功能 |
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IRFHM831 |
PQFN 3x3 |
30V |
±20V |
6.6 / 7.8 |
10.7 / 12.6 |
7.3 |
低Rg |
|
IRFHM830D |
PQFN 3x3 |
30V |
±20V |
3.4 / 4.3 |
5.7 / 7.1 |
13 |
FETky |
|
IRFHM830 |
PQFN 3x3 |
30V |
±20V |
3.0 / 3.8 |
4.8 / 6.0 |
15 |
|
|
IRFH5303 |
PQFN 5x6 |
30V |
±20V |
3.6 / 4.2 |
5.7 / 6.8 |
15 |
低Rg |
|
IRFH5304 |
PQFN 5x6 |
30V |
±20V |
3.8 / 4.5 |
5.8 / 6.8 |
16 |
|
|
IRFH5306 |
PQFN 5x6 |
30V |
±20V |
6.9 / 8.1 |
11.0 / 13.3 |
7.8 |
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IRFH5255 |
PQFN 5x6 |
25V |
±20V |
5.0 / 6.0 |
8.8 / 10.9 |
7.0 |
低Rg |
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IRFH5250D |
PQFN 5x6 |
25V |
±20V |
1.0 / 1.4 |
1.7 / 2.2 |
39 |
FETky |
新系列已接受批量訂單。相關數(shù)據(jù)及MOSFET產(chǎn)品選擇工具可通過 IR 網(wǎng)站 www.irf.com供應,。
專利和商標
IR®是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標,。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對應持有人所有的商標。