MOSFET能夠將導通電阻再降低一點那就棒了,。電阻導致發(fā)熱，換而言之就是浪費電能,。為何你們不能環(huán)保一點呢,？ – 潮州怒漢上

親愛的FAE博士：

我將飛兆半導體的FET置于高頻下工作，而開關損耗成為耗電的罪魁禍首,。我不理解,，為何你們不能再努力一點，使器件開關所需的柵極電荷再減低一些,，從而減少耗電,。為何你們不能環(huán)保一點，老是要浪費這么多電能,？- 深圳心煩人上

親愛的潮州怒漢和深圳心煩人：

今天你們真幸運,。咖啡師給我弄了杯非常棒的拿鐵濃咖啡,，還在那層厚薄恰到好處的牛奶泡沫上畫上一個心型點綴,。因此，我發(fā)誓今天不會因任何事情壞了我的心情,。今天可是我的好日子哦,。上下班堵車？這不是問題,。行人慢騰騰過街,？我不會煩躁。煩人的問題,？我會笑臉相迎,。

我們經(jīng)常接到這樣的問題。難道還有誰比我們這群在實驗室和生產(chǎn)車間拼命工作,，年復一年提供更好的MOSFET 的天才更不受人賞識的嗎,？我們最近推出了首款采用Power56 封裝，電阻低于1 mOhm的30V N溝道MOSFET器件(FDMS7650),。你大概可以想象到在產(chǎn)品發(fā)布時,，我們整個工程部都沉浸在狂歡之中。

好了,，讓我回答這兩位朋友的問題,。你認為你買的是一個MOSFET器件,，但實際上，你購買的是很多個MOSFET器件(可能數(shù)百萬,，甚至數(shù)千萬),，我們降低導通電阻的方法是：在裸片上填充更多的并聯(lián)晶體管。我們的品質因數(shù)是每平方厘米面積裸片的電阻值,，而且我們每年都在降低這個數(shù)值,。

我知道你在想什么…要利用溝槽技術來構建所有這些晶體管，最大限度地增加漏極和源極表面積,，同時保持低電容,，從而最大限度地降低柵極電荷需求，一定是件非常困難的事情,。的確是個挑戰(zhàn),。下面是電容的基本計算公式：

圖2：基本的電容計算方法

這個計算公式提醒我們電容隨“平板”面積增加，以及平板間距離減少而增大,。這意味著,，當我們通過增加并聯(lián)晶體管來降低電阻的同時，電容一般也會增加,。當然,，我們會盡其所能…注意介電常數(shù)K值… 如果能夠減小K值，就會對我們有利,。當然如果pi值提高,，對我們也有利，因此,，我們在呼吁國際標準化組織將pi值提高,，比如是5這一類容易記憶的數(shù)值 (這就是所謂仔細無遺的工程師幽默啊)。

我們以兩種方式在市場體現(xiàn)產(chǎn)品價值,；要么使用較小的裸片,，以較低的成本，實現(xiàn)同樣的導通電阻,；要么以相同的價格實現(xiàn)更低的導通電阻?？墒强稍腥藶榇藖黼姼兄x我們嗎,？對，很少有人會這么樣做,。
我們認識到客戶對柵極電荷的需求,，并通過電荷均衡來全力控制它，使其變得更小,。不過從前述兩封讀者來信所見,，讓所有客戶都滿意是很難的事情,，但我們在繼續(xù)嘗試。

至于環(huán)保的問題,，我的回應是：我小時候曾養(yǎng)過一頭土耳其安哥拉貓,，它后來死于環(huán)境污染。你想,，我會不關注環(huán)保嗎,？好吧，如果不介意的話,，我還是回去品嘗可口芬芳的拿鐵咖啡了,。