您想過使用一個單端初級電感轉換器 (SEPIC) 拓撲結構來構建偏壓電源嗎?如果您不需要隔離，那么這種想法還是行的通的,。SEPIC 擁有諸多特性,，從而使其比非隔離式反向結構更具吸引力?？刂?MOSFET 和輸出整流器振鈴可減少電磁干擾 (EMI) 和電壓應力,。在許多情況下，這使您能夠使用更低電壓的部件,，從而降低成本并提高效率,。另外，多輸出 SEPIC 可改善輸出之間的交叉穩(wěn)壓,，從而消除對于線性穩(wěn)壓器的需求,。圖 1 顯示的是一個 SEPIC 轉換器，像反向轉換器一樣它具有最少的部件數(shù)量,。實際上,，如果去除 C1，該電路就是一個反向轉換器,。該電容可提供對其所連接半導體的電壓鉗位控制,。當 MOSFET 開啟時，該電容通過 MOSFET 對 D1 的反向電壓進行鉗位控制,。當電源開關關閉時,，在 D1 導電以前漏電壓一直上升。在關閉期間,，C1 通過 D1 和 C2 對 MOSFET 漏電壓進行鉗位控制,。具有多個輸出端的 SEPIC 轉換器對繞組比構成限制。其中的一個次級繞組對初級繞組的匝比需為 1:1,，同時 C1 必須與之相連接,。在圖 1 所示的示例電路中,，12-V 繞組的匝比為 1:1，但它可能已經(jīng)使用了 5-V 繞組作為替代,。

圖1 多輸出 SEPIC 轉換器圖 1 所示電路已經(jīng)構建完成,，并經(jīng)過測試。分別將其作為帶 C1 的 SEPIC 和沒有 C1 的反向轉換器運行,。圖 2 顯示了兩種運行模式下的 MOSFET 電壓應力,。在反向模式下，MOSFET 漏極約為 40V,，而在 SEPIC 模式下漏電壓僅為 25V,。因此，反向設計不得不使用一個 40-V 或 60-V MOSFET,，而 SEPIC 設計只需使用一個額定值僅為 30V 的 MOSFET,。另外，就 EMI 濾波而言,，高頻率(5 MHz 以上)振鈴將是一個嚴重的問題,。完成對兩種電路的交叉穩(wěn)壓測量后，您會發(fā)現(xiàn) SEPIC 大體上更佳,。兩種設計中,，5 V 額定電壓實際值為 5.05 V，負載在 0 到滿負載之間變化,，同時輸入電壓被設定為 12V 或 24V,。SEPIC 的 12V 電壓維持在 10% 穩(wěn)壓頻帶內(nèi)，而反向轉換器的 12V 電壓則上升至 30V(高線壓輸入,，12V 無負載,，5V 全負載)。如果根據(jù)低電壓應力選擇功率部件,，那么即使這兩種結構的效率相同人們也會更傾向于使用 SEPIC,。