您想過(guò)使用一個(gè)單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器 (SEPIC) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)建偏壓電源嗎?如果您不需要隔離,，那么這種想法還是行的通的,。SEPIC 擁有諸多特性,，從而使其比非隔離式反向結(jié)構(gòu)更具吸引力,?？刂?MOSFET 和輸出整流器振鈴可減少電磁干擾 (EMI) 和電壓應(yīng)力,。在許多情況下,，這使您能夠使用更低電壓的部件,，從而降低成本并提高效率。另外,，多輸出 SEPIC 可改善輸出之間的交叉穩(wěn)壓,，從而消除對(duì)于線性穩(wěn)壓器的需求。圖 1 顯示的是一個(gè) SEPIC 轉(zhuǎn)換器,，像反向轉(zhuǎn)換器一樣它具有最少的部件數(shù)量,。實(shí)際上，如果去除 C1,，該電路就是一個(gè)反向轉(zhuǎn)換器,。該電容可提供對(duì)其所連接半導(dǎo)體的電壓鉗位控制。當(dāng) MOSFET 開(kāi)啟時(shí),，該電容通過(guò) MOSFET 對(duì) D1 的反向電壓進(jìn)行鉗位控制,。當(dāng)電源開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，在 D1 導(dǎo)電以前漏電壓一直上升,。在關(guān)閉期間,，C1 通過(guò) D1 和 C2 對(duì) MOSFET 漏電壓進(jìn)行鉗位控制。具有多個(gè)輸出端的 SEPIC 轉(zhuǎn)換器對(duì)繞組比構(gòu)成限制,。其中的一個(gè)次級(jí)繞組對(duì)初級(jí)繞組的匝比需為 1:1,，同時(shí) C1 必須與之相連接。在圖 1 所示的示例電路中,，12-V 繞組的匝比為 1:1,，但它可能已經(jīng)使用了 5-V 繞組作為替代。

圖1 多輸出 SEPIC 轉(zhuǎn)換器圖 1 所示電路已經(jīng)構(gòu)建完成,，并經(jīng)過(guò)測(cè)試,。分別將其作為帶 C1 的 SEPIC 和沒(méi)有 C1 的反向轉(zhuǎn)換器運(yùn)行,。圖 2 顯示了兩種運(yùn)行模式下的 MOSFET 電壓應(yīng)力。在反向模式下,，MOSFET 漏極約為 40V,，而在 SEPIC 模式下漏電壓僅為 25V。因此,，反向設(shè)計(jì)不得不使用一個(gè) 40-V 或 60-V MOSFET,，而 SEPIC 設(shè)計(jì)只需使用一個(gè)額定值僅為 30V 的 MOSFET。另外,，就 EMI 濾波而言,，高頻率(5 MHz 以上)振鈴將是一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題。完成對(duì)兩種電路的交叉穩(wěn)壓測(cè)量后,，您會(huì)發(fā)現(xiàn) SEPIC 大體上更佳,。兩種設(shè)計(jì)中，5 V 額定電壓實(shí)際值為 5.05 V,，負(fù)載在 0 到滿(mǎn)負(fù)載之間變化,，同時(shí)輸入電壓被設(shè)定為 12V 或 24V。SEPIC 的 12V 電壓維持在 10% 穩(wěn)壓頻帶內(nèi),，而反向轉(zhuǎn)換器的 12V 電壓則上升至 30V(高線壓輸入,，12V 無(wú)負(fù)載，5V 全負(fù)載),。如果根據(jù)低電壓應(yīng)力選擇功率部件,，那么即使這兩種結(jié)構(gòu)的效率相同人們也會(huì)更傾向于使用 SEPIC。