工業(yè)自動化最新文章 電阻的主要參數(shù)介紹 電阻的主要參數(shù)包括以下幾個方面： 1.阻值（Resistance Value）： 這是電阻的基本特性,，表示電阻對電流流動的阻礙程度,，通常以歐姆（Ω）為單位,。 2.額定功率（Rated Power）： 指電阻在正常工作條件下能夠承受的最大功率,，超過這個功率可能會導(dǎo)致電阻過熱甚至損壞,。功率以瓦特（W）為單位,。 3.容差（Tolerance）： 指電阻的實際阻值與標稱阻值之間的允許偏差范圍,。容差通常以百分比表示,，例如5%或1%,。 4.溫度系數(shù)（Temperature Coefficient）： 發(fā)表于：2024/12/13 電感的主要類型介紹 電感器是用絕緣導(dǎo)線繞制而成的一種電磁感應(yīng)組件,，是電子電路中不可或缺的重要元件之一，它在儲能,、濾波,、調(diào)諧等方面發(fā)揮著重要作用。 發(fā)表于：2024/12/13 電容的主要類型介紹 電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件,，是電子,、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件，主要用于電源濾波,、信號濾波,、信號耦合、諧振,、濾波,、補償、充放電,、儲能,、隔直流等電路中。 發(fā)表于：2024/12/13 電阻的主要類型介紹 電阻表示導(dǎo)體對電流阻礙的大小,，是電子電路中不可或缺的元件,，其類型繁多，不同類型的電阻適用于不同的電路和環(huán)境,。 發(fā)表于：2024/12/13 詳解ASML收購Mapper背后的四方暗斗 近日,，一名具有俄羅斯背景的ASML前員工因涉嫌竊取ASML和Mapper Lithography 的微芯片手冊等文件而被荷蘭政府拘留，引發(fā)各方關(guān)注,。 這位工程師曾是電子束光刻設(shè)備廠商Mapper的員工,，后來這家公司被ASML收購，于是包括該工程師在內(nèi)很多員工也就成為了ASML的員工,，Mapper公司及其產(chǎn)品線也被關(guān)閉,。那么，為何這位工程師在竊取ASML資料的同時,，還會去竊取已經(jīng)“作古”的Mapper的資料呢,？ 發(fā)表于：2024/12/13 Rapidus與Synopsys和Cadence簽署2nm合作協(xié)議 12月12日消息,，日本晶圓代工大廠Rapidus近日宣布，其已與EDA大廠Synopsys 和 Cadence Design Systems 簽署了合作協(xié)議,，后者將為其 2nm 代工業(yè)務(wù)提供EDA設(shè)計工具,，并獲取 AI 制造數(shù)據(jù)。Synopsys將有權(quán)訪問Rapdius的人工智能工具制造數(shù)據(jù),，而Cadence將提供針對背面電源傳輸進行優(yōu)化的內(nèi)存和接口IP,。 發(fā)表于：2024/12/13 臺積電美國廠制造成本比中國臺灣高出30% 12月13日消息，晶圓代工大廠臺積電亞利桑那州晶圓廠一期工程即將于2025年初量產(chǎn)4nm,，而根據(jù)麥格理銀行的最新研究顯示,，臺積電亞利桑那州的晶圓廠的制造成本可能將比中國臺灣工廠高出30%。 發(fā)表于：2024/12/13 Rapidus宣布2025年4月啟動2nm試產(chǎn)線 12 月 13 日消息,，據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道,，日本先進半導(dǎo)體制造商 Rapidus 的會長東哲郎本月 11 日在 SEMICON Japan 展會開幕式上致辭時表示對該企業(yè)的 2nm 試產(chǎn)線充滿信心。 發(fā)表于：2024/12/13 光芯片公司Ayar Labs獲英特爾英偉達和AMD1.55億美元融資 12 月 12 日消息,，光學 I/O 企業(yè) Ayar Labs 美國加州當?shù)貢r間 11 日宣布完成 1.55 億美元（注：當前約 11.27 億元人民幣）規(guī)模 D 輪融資,。該輪融資使得 Ayar Labs 的總資金升至 3.7 億美元，同時估值突破 10 億美元大關(guān),。 發(fā)表于：2024/12/13 消息稱Synopsys擬收購Ansys后剝離資產(chǎn) 消息稱Synopsys擬收購Ansys后剝離資產(chǎn),，以期歐盟批準350億美元交易 發(fā)表于：2024/12/13 中國石油首座獨立固態(tài)電池儲能電站并網(wǎng)投運 12 月 12 日消息，中國石油宣布,，華北油田首座 100 千瓦 / 124 千瓦時固態(tài)電池儲能電站 12 月 4 日在采油三廠王三站成功并網(wǎng)投運,，這同時也是中國石油首座獨立固態(tài)電池儲能電站。 發(fā)表于：2024/12/13 英特爾仍未確認代工廠將是否完全獨立 12 月 13 日消息,，據(jù)彭博社報道,，在當?shù)貢r間周四舉行的巴克萊第 22 屆全球科技大會上，英特爾的聯(lián)合首席執(zhí)行官 Michelle Johnston Holthaus 和 David Zinsner 坦言,，公司在產(chǎn)品改進和重建客戶信任方面“還有很長的路要走”,。 發(fā)表于：2024/12/13 我國高速激光鉆石星座試驗系統(tǒng)成功發(fā)射 12月12日消息，據(jù)報道,，今日15時17分,，我國在酒泉衛(wèi)星發(fā)射中心使用長征二號丁運載火箭/遠征三號上面級，成功將高速激光鉆石星座試驗系統(tǒng)發(fā)射升空,，5顆衛(wèi)星順利進入預(yù)定軌道,，發(fā)射任務(wù)獲得圓滿成功。 發(fā)表于：2024/12/13 谷歌正式發(fā)布史上最強大模型Gemini 2.0 今天凌晨,，谷歌正式發(fā)布了為新智能體時代構(gòu)建的下一代模型——Gemini 2.0,。 這是谷歌迄今為止功能最強的AI模型，帶來了更強的性能,、更多的多模態(tài)表現(xiàn)（如原生圖像和音頻輸出）和新的原生工具應(yīng)用,。 Gemini 2.0關(guān)鍵基準測試中相較于前代產(chǎn)品Gemini 1.5 Pro實現(xiàn)了性能的大幅提升,，速度甚至達到了后者的兩倍。 發(fā)表于：2024/12/12 三星電子HBM3E內(nèi)存性能未滿足英偉達要求 12 月 11 日消息,，韓媒 hankooki 當?shù)貢r間昨日表示,，三星電子由于 8 層、12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存樣品性能未達英偉達要求,，難以在今年內(nèi)正式啟動向這家大客戶的供應(yīng),，實際供貨將落到 2025 年。 報道表示,，三星電子早在 2023 年 10 月就開始向英偉達供應(yīng) HBM3E 內(nèi)存的質(zhì)量測試樣品,，但一年多的時間內(nèi)三星 HBM3E 的認證流程并未取得明顯進展,。 發(fā)表于：2024/12/12 ?12345678910…?
