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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

OKI推出全新PCB設(shè)計(jì)方案

12月16日消息，日本沖電氣工業(yè)株式會(huì)社（OKI Circuit Technology）近日宣布推出一種新的印刷電路板（PCB）設(shè)計(jì),，可將組件散熱性能提高 55 倍,。這種特殊的創(chuàng)新，即在 PCB 上裝滿了階梯狀的圓形或矩形“銅幣”,，可以進(jìn)入即使是最好的風(fēng)冷散熱器也難以拿下的市場,，例如微型設(shè)備或外太空應(yīng)用。

發(fā)表于：2024/12/16

英飛凌發(fā)布邊緣AI軟件解決方案品牌DEEPCRAFT

英飛凌發(fā)布邊緣AI軟件解決方案品牌DEEPCRAFT,，并推出新型成熟模型

發(fā)表于：2024/12/16

無問芯穹開源全球首款端側(cè)全模態(tài)理解模型Megrez-3B-Omni

12 月 16 日消息,，無問芯穹今日宣布，開源無問芯穹端側(cè)解決方案中的全模態(tài)理解小模型 Megrez-3B-Omni 和它的純語言模型版本 Megrez-3B-Instruct,。

發(fā)表于：2024/12/16

智元開啟通用機(jī)器人商用量產(chǎn)

12 月 16 日消息,，智元機(jī)器人今日發(fā)布視頻宣布，智元開啟通用機(jī)器人商用量產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/12/16

IDC發(fā)布2025年全球半導(dǎo)體市場八大趨勢(shì)預(yù)測

2025年半導(dǎo)體市場將實(shí)現(xiàn)15%增長,。根據(jù)國際數(shù)據(jù)公司（IDC）“全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈追蹤情報(bào)” 的最新研究表明,，鑒于 2025 年全球人工智能（AI）與高性能運(yùn)算（HPC）需求不斷攀升，從云端數(shù)據(jù)中心,、終端設(shè)備到特定產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,，各個(gè)主要應(yīng)用市場都面臨著規(guī)格升級(jí)的趨勢(shì)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將再次迎來全新的繁榮景象,。 IDC 資深研究經(jīng)理曾冠瑋表示：“在人工智能持續(xù)推動(dòng)高階邏輯制程芯片需求,，以及高價(jià)高帶寬內(nèi)存（HBM）滲透率提升的推動(dòng)下,，預(yù)計(jì) 2025 年整個(gè)半導(dǎo)體市場的規(guī)模將增長超過 15%,。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈涵蓋設(shè)計(jì)、制造,、封裝測試,、先進(jìn)封裝等產(chǎn)業(yè)，通過上下游之間的橫向與縱向合作,，將會(huì)共同創(chuàng)造新一輪的增長機(jī)遇,。”

發(fā)表于：2024/12/16

我國首臺(tái)作業(yè)時(shí)速公里級(jí)水下敷纜機(jī)器人近日完成下水測試

12 月 12 日,，從南方電網(wǎng)廣東電網(wǎng)公司獲悉,，由該公司牽頭研制的我國首臺(tái)作業(yè)時(shí)速公里級(jí)水下敷纜機(jī)器人近日完成下水測試。該裝置具有履帶,、雪橇行走能力和 " 搜尋—挖溝—敷埋 " 一體化作業(yè)能力,，敷埋作業(yè)速度可達(dá) 1000 米 / 小時(shí)，機(jī)器人本體核心部件實(shí)現(xiàn) 100% 自主可控,，意味著項(xiàng)目從理論研究過渡至樣機(jī)實(shí)物階段,。 " 指標(biāo)數(shù)據(jù)正常，這次下水測試非常成功,！"12 月 12 日從山東威海機(jī)器人水下測試場地回來的廣東電網(wǎng)公司電力科學(xué)研究院輸電所的汪政博士看著電腦上的數(shù)據(jù),，興奮地通知了研發(fā)團(tuán)隊(duì)的所有人。

發(fā)表于：2024/12/16

AMD明確表態(tài)不可能與Intel合并

AMD明確表態(tài)不可能與Intel合并

發(fā)表于：2024/12/16

第三家1萬億美元市值半導(dǎo)體企業(yè)出現(xiàn)

12月12日美股盤后,，芯片大廠博通發(fā)布了截至11月3日的第四財(cái)季及2024財(cái)年財(cái)報(bào),。受益于人工智能（AI）旺盛需求的推動(dòng)，博通當(dāng)季業(yè)績及下季指引基本符合預(yù)期,。2024財(cái)年總營收及調(diào)整后利潤均創(chuàng)下歷史新高,，特別是來自AI的收入整個(gè)財(cái)年同比暴漲了220%。值得注意的是,，ASIC定制服務(wù)一直是博通半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的一項(xiàng)重要收入來源,，特別是在AI的驅(qū)動(dòng)之下，博通來自與AI相關(guān)的ASIC定制服務(wù)營收正快速增長。

發(fā)表于：2024/12/16

臺(tái)積電首次公開2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)

12月15日消息，IEDM 2024大會(huì)上,，臺(tái)積電首次披露了N2 2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)：對(duì)比3nm,，晶體管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％,，同等性能下功耗降低24-35％。

發(fā)表于：2024/12/16

意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

2024 年 11 月 29日,，中國——意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景,。

發(fā)表于：2024/12/16

慶祝顯示技術(shù)30年創(chuàng)新歷程

2024年10月,，應(yīng)用材料公司慶祝顯示器制造設(shè)備創(chuàng)新30周年！我們?cè)谕苿?dòng)關(guān)鍵顯示技術(shù)變革方面有悠久的傳統(tǒng),，并且有能力在下一次重大技術(shù)變革中也處于領(lǐng)先地位——即將高端智能手機(jī)中先進(jìn)的OLED顯示技術(shù)應(yīng)用于成千上百萬的設(shè)備,，從AR/VR頭顯到平板電腦、個(gè)人電腦和電視,。

發(fā)表于：2024/12/16

RCL完整測試方案設(shè)計(jì)及選擇

RCL完整測試方案設(shè)計(jì)及選擇

發(fā)表于：2024/12/13

RCL完整測試所需儀器介紹

RCL完整測試所需儀器

發(fā)表于：2024/12/13

電感的重要參數(shù)介紹

電感的重要參數(shù)介紹

發(fā)表于：2024/12/13

電容的主要參數(shù)介紹

電容器的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面： ?1.電容值（Capacitance Value）：表示電容器儲(chǔ)存電荷的能力,，通常以法拉（F）為單位，但在實(shí)際應(yīng)用中更常用的單位是微法拉（μF）,、皮法拉（pF）等,。 2.額定電壓（Rated Voltage）：指電容器能夠安全工作的最大電壓，超過這個(gè)電壓可能會(huì)導(dǎo)致電容器擊穿或損壞,。 3.容差（Tolerance）：指電容器的實(shí)際電容值與標(biāo)稱電容值之間的允許偏差范圍,，通常以百分比表示。

發(fā)表于：2024/12/13

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