EDA與制造-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

2030年中國大陸將成為全球最大的半導體晶圓代工中心

7月1日消息，根據(jù)Yole Group的報告，2030年中國大陸將成為全球最大的半導體晶圓代工中心。報告中指出，中國大陸有望在2030年超越中國臺灣，成為全球最大的半導體晶圓代工中心。2024年中國大陸占全球21%的產(chǎn)能，隨著本土產(chǎn)能的快速擴張，中國大陸的崛起凸顯了在分散且充滿戰(zhàn)略博弈的芯片制造格局中，行業(yè)話語權(quán)正在發(fā)生轉(zhuǎn)移。 6年后！中國大陸將成全球最大半導體晶圓代工中心：幾nm已不重要 2024年中國大陸以21%的全球代工產(chǎn)能份額位居第二，僅次于中國臺灣（23%）。韓國以19%的份額排名第三，日本（13%）、美國（10%）和歐洲（8%）緊隨其后。國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）數(shù)據(jù)顯示，2024年中國大陸芯片制造商產(chǎn)能增長15%，達每月885萬片晶圓。這一增長得益于18座新建半導體晶圓廠的投產(chǎn)，推動全球同年產(chǎn)能擴張6%。按照這個擴建和發(fā)展速度，中國半導體接下來將會越來越強大，屆時幾nm已經(jīng)不是那么重要了，就連英特爾CEO不是都在弱化先進的重要性嘛。

發(fā)表于：7/1/2025

臺積電美國3nm晶圓廠基建完工預(yù)計2027年量產(chǎn)

6月30日消息，據(jù)臺媒《工商時報》報道，為滿足客戶美國制造需求的增長，臺積電亞利桑那州廠建廠正在加速。據(jù)供應(yīng)鏈透露，規(guī)劃配置3nm先進制程的臺積電亞利桑那州二廠（P2）已經(jīng)完成建設(shè)，整體進度有所提前，臺積電正致力于依據(jù)客戶對AI相關(guān)的強勁需求加速量產(chǎn)進度，預(yù)計后續(xù)到量產(chǎn)的進度將壓縮在約兩年。

發(fā)表于：7/1/2025

三星電子1c nm DRAM內(nèi)存工藝開發(fā)完成

7 月 1 日消息，綜合韓媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 報道，三星電子當?shù)貢r間昨日下午對其第六代 10nm 級 DRAM 內(nèi)存工藝 1c 納米授予生產(chǎn)準備批準 (PRA)。這標志著三星完成 1c nm 內(nèi)存開發(fā)，準備向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移。

發(fā)表于：7/1/2025

碳化硅巨頭Wolfspeed啟動破產(chǎn)重組

7 月 1 日消息，美國碳化硅 (SiC) 技術(shù)企業(yè) Wolfspeed 當?shù)貢r間 6 月 30 日宣布已采取下一步措施實施此前與主要債權(quán)人達成的《重組支持協(xié)議》，預(yù)計將在 2025 年三季度末完成司法重整并恢復(fù)正常運營。根據(jù) 6 月下旬達成的《協(xié)議》，Wolfspeed 的總債務(wù)將減少約 70%

發(fā)表于：7/1/2025

香港首座8英寸碳化硅晶圓廠獲批

7 月 1 日消息，據(jù)香港特別行政區(qū)政府新聞公報網(wǎng)站，香港創(chuàng)新科技署（創(chuàng)科署）6 月 25 日宣布，“創(chuàng)新及科技基金”下設(shè)的“新型工業(yè)評審委員會”支持杰立方半導體（香港）有限公司提交的“新型工業(yè)加速計劃”申請。

發(fā)表于：7/1/2025

臺積電“2025年中國技術(shù)論壇”揭秘

在結(jié)束了北美、中國臺灣、歐洲、日本等地的年度技術(shù)論壇之后，6月25日，晶圓代工龍頭大廠臺積電“2025年中國技術(shù)論壇”正式在上海召開。在此次論壇上，臺積電介紹了其對于整個半導體市場的展望，并面向中國客戶介紹其最新的技術(shù)進展。由于臺積電面向中國客戶提供先進制程晶圓代工服務(wù)受到了一定的限制（主要是AI芯片相關(guān)），因此，在此次中國技術(shù)論壇上，臺積電似乎并未將其尖端制程工藝作為介紹重點。臺積電官方向芯智訊提供的新聞稿也只是介紹了其先進封裝技術(shù)和特殊制程技術(shù)（部分尖端的特殊制程也未介紹）的進展以及制造布局。

發(fā)表于：7/1/2025

消息稱三星SF2P下一代2nm工藝優(yōu)先供應(yīng)外部客戶

6 月 29 日消息，韓媒 ZDNews 發(fā)文，認為三星 Galaxy S26 系列手機所搭載的 2nm Exynos 2600 芯片，可能并不會采用該公司最先進的“SF2P”技術(shù)，三星計劃將相應(yīng)工藝優(yōu)先用于為外部代工客戶打造 AI 芯片，而非率先應(yīng)用于自家手機。據(jù)悉，目前三星已完成這一“SF2P”下一代 2nm 工藝設(shè)計，當下該公司正積極向潛在客戶推廣這一新工藝，試圖在競爭激烈的 AI 芯片市場中提升市場份額。該制程節(jié)點號稱相比上一代產(chǎn)品具備多項優(yōu)勢，包括“性能至高提升 12%、功耗降低 25%、縮小 8% 的芯片面積”等特性。不過外媒指出，三星代工部門預(yù)計將把上述技術(shù)主要用于為外部客戶生產(chǎn) AI 芯片。相應(yīng)方案將只面向 Foundry（代工）客戶，而不會提供給負責移動芯片設(shè)計的 System LSI 團隊，這意味著 Exynos 2600 雖然依舊會使用 2nm 工藝，但有較高概率不會應(yīng)用 SF2P 技術(shù)。

發(fā)表于：6/30/2025

美光1γ制程LPDDR5X良率提升速度超越上代

發(fā)表于：6/30/2025

2028年全球先進制程晶圓制造產(chǎn)能將增長69%

6月26日消息，國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新發(fā)布的預(yù)測報告稱，因應(yīng)生成式人工智能（AI）應(yīng)用需求日益增長，全球半導體供應(yīng)商加速擴產(chǎn)，2028年全球12英寸晶圓月產(chǎn)能將達到1,110萬片規(guī)模，創(chuàng)下歷史新高，2024年至2028年復(fù)合成長率達7%。

發(fā)表于：6/27/2025

LG Innotek全球首發(fā)銅柱技術(shù)

6 月 27 日消息，韓國先驅(qū)報于 6 月 25 日發(fā)布博文，報道稱 LG Innotek 宣布開發(fā)出全球首個用于高端半導體基板的高價值銅柱（Cu-Post）技術(shù)，在保持性能的前提下，讓智能手機基板尺寸最高可減少 20%，為更輕薄、高性能手機的發(fā)展邁出重要一步。

發(fā)表于：6/27/2025

ASML攜手蔡司啟動5nm分辨率Hyper NA光刻機開發(fā)

ASML 技術(shù)高級副總裁：已攜手蔡司啟動 5nm 分辨率 Hyper NA 光刻機開發(fā)

發(fā)表于：6/27/2025

爭奪第二名！2025年英特爾代工大會直襲三星大本營

6月27日消息，英特爾在本月24日在首爾舉行了代工Direct Connect Asia活動，這也是英特爾首次在美國以外的地區(qū)舉辦此類活動。英特爾的Direct Connect活動類似于臺積電的技術(shù)研討會和三星的代工論壇，旨在展示其最新的工藝技術(shù)。

發(fā)表于：6/27/2025

消息稱三星電子7月初向主要客戶出樣HBM4 12Hi內(nèi)存

6 月 27 日消息，韓媒 the bell 當?shù)貢r間 25 日報道稱，三星電子 HBM4 12Hi (36GB) 內(nèi)存的出樣準備工作已進入最后階段。如果內(nèi)部評估結(jié)果良好，三星計劃在 7 月初向英偉達和 AMD 等主要客戶供應(yīng) 12 層堆疊 HBM4 的樣品。

發(fā)表于：6/27/2025

高多層PCB拼板如何省成本？5個設(shè)計細節(jié)降低30%打樣費用

高多層 PCB 打樣成本通常是普通板的 3-5 倍,合理的拼板設(shè)計可顯著優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)。以下是兼顧性能與成本的實戰(zhàn)技巧: 一、拼板利用率最大化設(shè)計拼板數(shù)量優(yōu)化公式:最佳拼板數(shù) = (大板尺寸/子板尺寸)× 利用率系數(shù)(高多層建議0.85) 例:10 層板子板尺寸 5cm×5cm,選用 30cm×30cm 大板,最佳拼板數(shù)為(30×30)/(5×5)×0.85≈30 片。

發(fā)表于：6/27/2025

美國減少對中國稀土的依賴需要“一代人的時間”

當?shù)貢r間6月25日，美國前常務(wù)副國務(wù)卿庫爾特·坎貝爾（Kurt Campbell）在接受彭博電視臺采訪時表示，要減少美國在稀土和其他供應(yīng)鏈方面對中國的部分依賴，需要“一代人的時間”。

發(fā)表于：6/27/2025