Rapidus宣布2025年4月啟動(dòng)2nm試產(chǎn)線

12 月 13 日消息，據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造商 Rapidus 的會(huì)長(zhǎng)東哲郎本月 11 日在 SEMICON Japan 展會(huì)開幕式上致辭時(shí)表示對(duì)該企業(yè)的 2nm 試產(chǎn)線充滿信心,。

發(fā)表于：2024/12/13

消息稱Synopsys擬收購(gòu)Ansys后剝離資產(chǎn)

消息稱Synopsys擬收購(gòu)Ansys后剝離資產(chǎn)，以期歐盟批準(zhǔn)350億美元交易

發(fā)表于：2024/12/13

英特爾仍未確認(rèn)代工廠將是否完全獨(dú)立

12 月 13 日消息,，據(jù)彭博社報(bào)道，在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四舉行的巴克萊第 22 屆全球科技大會(huì)上,，英特爾的聯(lián)合首席執(zhí)行官 Michelle Johnston Holthaus 和 David Zinsner 坦言,，公司在產(chǎn)品改進(jìn)和重建客戶信任方面“還有很長(zhǎng)的路要走”,。

發(fā)表于：2024/12/13

三星電子HBM3E內(nèi)存性能未滿足英偉達(dá)要求

12 月 11 日消息，韓媒 hankooki 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示,，三星電子由于 8 層,、12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存樣品性能未達(dá)英偉達(dá)要求，難以在今年內(nèi)正式啟動(dòng)向這家大客戶的供應(yīng),，實(shí)際供貨將落到 2025 年,。 報(bào)道表示，三星電子早在 2023 年 10 月就開始向英偉達(dá)供應(yīng) HBM3E 內(nèi)存的質(zhì)量測(cè)試樣品,，但一年多的時(shí)間內(nèi)三星 HBM3E 的認(rèn)證流程并未取得明顯進(jìn)展,。

發(fā)表于：2024/12/12

IBM與Rapidus展示多閾值電壓GAA晶體管合作研發(fā)成果

12 月 12 日消息，據(jù) IBM 官方當(dāng)?shù)貢r(shí)間 9 日博客,，IBM 和日本先進(jìn)芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 國(guó)際電子器件會(huì)議上展示了兩方合作的多閾值電壓 GAA 晶體管研發(fā)成果,，這些技術(shù)突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量產(chǎn)。 IBM 表示,，先進(jìn)制程升級(jí)至 2nm 后,，晶體管的結(jié)構(gòu)由使用多年的 FinFET（IT之家注：鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）轉(zhuǎn)為 GAAFET（全環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管），這對(duì)制程迭代帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)：如何實(shí)現(xiàn)多閾值電壓（Multi Vt）從而讓芯片以較低電壓執(zhí)行復(fù)雜計(jì)算,。

發(fā)表于：2024/12/12

傳美國(guó)將在圣誕節(jié)前推出對(duì)華AI芯片限制新規(guī)

12月11日消息,，在本月初美國(guó)將140加中國(guó)半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)列入了實(shí)體清單，并升級(jí)對(duì)EDA,、半導(dǎo)體設(shè)備,、HBM限制之后，業(yè)內(nèi)又傳出消息稱,，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)暨安全局（BIS）將會(huì)在今年圣誕節(jié)之前,，發(fā)布新的人工智能（AI）管制規(guī)則，有可能將進(jìn)一步限制AI芯片的對(duì)華出口,。 消息稱,，美國(guó)BIS目前已將相關(guān)限制規(guī)則的內(nèi)容提交給了相關(guān)機(jī)構(gòu)審查,，按照之前的經(jīng)驗(yàn),，審查時(shí)間大約耗時(shí)一周，所以預(yù)計(jì)公布的時(shí)間可能將會(huì)在下周,，也就是在圣誕節(jié)之前,。該限制規(guī)則可能與此前臺(tái)積電對(duì)中國(guó)大陸AI芯片企業(yè)暫停7nm及以下先進(jìn)制程代工服務(wù)有關(guān)。 根據(jù)之前的爆料顯示,，中國(guó)廠商設(shè)計(jì)的芯片如果die size大于300mm²,、晶體管數(shù)量大于300億顆、使用先進(jìn)封裝和HBM,，主要用于AI訓(xùn)練,，臺(tái)積電等有采用美國(guó)技術(shù)的海外晶圓代工廠都將禁止提供代工服務(wù),。

發(fā)表于：2024/12/12

英飛凌CEO：將在中國(guó)生產(chǎn)芯片

12月11日消息，據(jù)《日經(jīng)亞洲》報(bào)道,，德國(guó)芯片大廠英飛凌CEO Jochen Hanebeck近日在接受采訪時(shí)透露,，英飛凌正在將商品級(jí)產(chǎn)品的生產(chǎn)本地化，以尋求與中國(guó)買家保持密切聯(lián)系,。

發(fā)表于：2024/12/12

泛林介紹世界首款半導(dǎo)體制造設(shè)備維護(hù)專用協(xié)作機(jī)器人

12 月 11 日消息,，Lam Research 泛林集團(tuán)當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日對(duì)其打造的世界首款專為半導(dǎo)體制造設(shè)備維護(hù)打造的協(xié)作機(jī)器人（注：Collaborative Robot）Dextro 進(jìn)行了介紹，并表示該型機(jī)器人已獲全球多家先進(jìn)晶圓廠應(yīng)用,。

發(fā)表于：2024/12/12

魏少軍建議應(yīng)大力發(fā)展不依賴先進(jìn)工藝的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)

12月11日消息,，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍今日表示，應(yīng)大力發(fā)展不依賴先進(jìn)工藝的芯片設(shè)計(jì)技術(shù),。 “伴隨著外部先進(jìn)加工資源對(duì)我國(guó)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)關(guān)閉,，中國(guó)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)所能使用的制造技術(shù)不再像之前那樣豐富，需要在技術(shù)創(chuàng)新上關(guān)注不依賴先進(jìn)工藝的設(shè)計(jì)技術(shù),?！?/a>

消息稱三星電子啟動(dòng)下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購(gòu)

12 月 11 日消息，韓媒 ZDNet 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 9 日援引行業(yè)報(bào)告表示,，三星電子已于近日啟動(dòng)下代 1c nm 制程 DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)所需設(shè)備的采購(gòu),，從 Lam Research 泛林集團(tuán)等主要半導(dǎo)體設(shè)備制造商購(gòu)買的設(shè)備將于明年 2 月左右引進(jìn)至量產(chǎn)線。 三星電子目前尚未官宣 1c nm（注：第 6 代 10nm 級(jí)制程）DRAM,。報(bào)道指出三星電子的 1c nm 目前處于試產(chǎn)狀態(tài),，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首條 1c nm 量產(chǎn)線將設(shè)置于韓國(guó)京畿道平澤 P4 工廠,。

發(fā)表于：2024/12/11

臺(tái)積電創(chuàng)始人談Intel失敗原因

12月11日消息,，隨著CEO帕特·基辛格下課，Intel目前面臨后繼無(wú)人的狀態(tài),。在真正尋找到能帶領(lǐng)其重回巔峰的領(lǐng)導(dǎo)人之前,，其未來(lái)前途可謂迷霧重重。

發(fā)表于：2024/12/11

美國(guó)商務(wù)部已向美光科技提供61億美元資金

12 月 11 日消息,，美國(guó)商務(wù)部周二表示,，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元（注：當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款,，用于在美國(guó)制造半導(dǎo)體,。

發(fā)表于：2024/12/11

臺(tái)積電11月營(yíng)收同比增長(zhǎng)34%

12月10日，晶圓代工大廠臺(tái)積電公布了2024年11月營(yíng)收數(shù)據(jù),，當(dāng)月營(yíng)收金額為新臺(tái)幣2760.58億元,，環(huán)比減少12.2%，同比增長(zhǎng)34.0%,。累計(jì)前11個(gè)月營(yíng)收約新臺(tái)幣26161.45億元,，同比增長(zhǎng)31.8%,。

發(fā)表于：2024/12/11

臺(tái)積電2nm工藝?yán)^續(xù)漲價(jià)

12月9日消息，據(jù)媒體報(bào)道,，臺(tái)積電在新竹寶山工廠開始2nm試產(chǎn),，其良率達(dá)到了60%，超越臺(tái)積電內(nèi)部預(yù)期,，除了寶山工廠外,，明年上半年臺(tái)積電還計(jì)劃在高雄工廠開展2nm試產(chǎn)工作。

發(fā)表于：2024/12/10

三星完成400層NAND Flash開發(fā)

12月9日消息,，根據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)道稱,，三星電子在其半導(dǎo)體研究所中已經(jīng)成功完成了突破性400層堆疊NAND Flash閃存技術(shù)的開發(fā)。同時(shí),，三星也自上個(gè)月開始,，將這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)移到其平澤園區(qū)一號(hào)工廠中大規(guī)模生產(chǎn)線。而這一重要的里程碑的達(dá)成,，將使得三星處于NAND Flash技術(shù)的領(lǐng)先位置,，將有望領(lǐng)先已經(jīng)宣布計(jì)劃量產(chǎn)321層NAND Flash的SK海力士。

發(fā)表于：2024/12/10