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EDA與制造相關(guān)文章

傳NAND Flash大廠鎧俠將于12月中旬上市

11月21日消息，據(jù)日經(jīng)新聞,、路透社等外媒報(bào)道,，日本NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）預(yù)計(jì)將在今年12月中旬在日本IPO上市，市值預(yù)估為7,500億日元,，將遠(yuǎn)低于原先設(shè)定的1.5萬(wàn)億日元目標(biāo),。

發(fā)表于：2024/11/22

意法半導(dǎo)體宣布40nm MCU交由華虹代工

11月21日消息，歐洲芯片大廠意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三在法國(guó)巴黎舉辦投資者日活動(dòng),，宣布了將與中國(guó)第二大晶圓代工廠合作,，在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器（MCU），以支持其中長(zhǎng)期的營(yíng)收目標(biāo)的實(shí)現(xiàn),。

發(fā)表于：2024/11/21

TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌

據(jù)TrendForce研報(bào)顯示,，第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足,、需求減弱,，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢(shì),。

發(fā)表于：2024/11/21

SK海力士宣布量產(chǎn)全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存

11 月 21 日消息，SK 海力士剛剛宣布開(kāi)始量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb（太比特,，與 TB 太字節(jié)不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存,。據(jù)介紹，此 321 層產(chǎn)品與上一代相比數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了 12% 和 13%,，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高 10% 以上,。

發(fā)表于：2024/11/21

中國(guó)工業(yè)機(jī)器人密度已超越德國(guó)和日本

11 月 20 日消息，國(guó)際機(jī)器人聯(lián)合會(huì)（IFR）周三發(fā)布的年度報(bào)告顯示,，中國(guó)在工業(yè)機(jī)器人使用方面已超越德國(guó),。

發(fā)表于：2024/11/21

2025年臺(tái)積電將新建10座工廠以應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求

11月20日消息，全球晶圓代工巨頭臺(tái)積電（TSMC）正在著力擴(kuò)大其先進(jìn)封裝產(chǎn)能,，以應(yīng)對(duì)人工智能（AI）半導(dǎo)體的旺盛需求,。據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃明年在全球范圍內(nèi)新建10家工廠,。新投資將重點(diǎn)放在2納米,、CoWoS等先進(jìn)工藝技術(shù)上。臺(tái)積電明年的資本支出（CAPEX）預(yù)計(jì)將達(dá)到340億至380億美元,。這不僅超過(guò)了市場(chǎng)預(yù)測(cè)的320億至 360 億美元,，而且有可能刷新公司歷史上的最高資本支出記錄——2022年的362.9億美元。

發(fā)表于：2024/11/21

美國(guó)芯片法案敲定向格羅方德提供15億美元補(bǔ)貼

美國(guó)拜登政府已敲定針對(duì)格羅方德（GlobalFoundries）的《芯片法案》激勵(lì)措施,，向該芯片制造商提供15億美元補(bǔ)貼,，以支持美國(guó)工廠，這是更廣泛的半導(dǎo)體推動(dòng)措施的一部分,。

發(fā)表于：2024/11/21

TrendForce研報(bào)預(yù)計(jì)2025年DRAM 價(jià)格將下跌

TrendForce：需求展望疲弱,、庫(kù)存和供給上升，預(yù)計(jì) 2025 年 DRAM 價(jià)格將下跌

發(fā)表于：2024/11/18

全球第二大GPU生產(chǎn)商PC Partner總部遷離中國(guó)

全球第二大GPU生產(chǎn)商PC Partner總部遷離中國(guó),！新加坡上市,、印尼生產(chǎn)

發(fā)表于：2024/11/17

美國(guó)芯片法案最大一筆補(bǔ)助臺(tái)積電66億美元補(bǔ)助到手

美國(guó)《芯片法》最大一筆補(bǔ)助，臺(tái)積電 66 億美元補(bǔ)助到手

發(fā)表于：2024/11/17

日本首臺(tái)ASML EUV光刻機(jī)下月進(jìn)駐Rapidus晶圓廠

11 月 15 日消息,，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日凌晨報(bào)道稱(chēng),，日本先進(jìn)半導(dǎo)體代工企業(yè) Rapidus 購(gòu)入的第一臺(tái) ASML EUV 光刻機(jī)將于 2024 年 12 月中旬抵達(dá)北海道新千歲機(jī)場(chǎng)，這也將成為日本全國(guó)首臺(tái) EUV 光刻設(shè)備,。

發(fā)表于：2024/11/15

消息稱(chēng)內(nèi)存原廠考慮HBM4采用無(wú)助焊劑鍵合

11 月 14 日消息,，據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,，三星電子,、SK 海力士、美光均對(duì)在下代 HBM4 內(nèi)存中采用無(wú)助焊劑鍵合（Fluxless Bonding）技術(shù)抱有興趣,，正在進(jìn)行技術(shù)準(zhǔn)備,。 SK 海力士此前已宣布了 16 層堆疊 HBM3E,，而從整體來(lái)看 HBM 內(nèi)存將于 HBM4 開(kāi)始正式轉(zhuǎn)向 16 層堆疊。由于無(wú)凸塊的混合鍵合技術(shù)尚不成熟,，傳統(tǒng)有凸塊方案預(yù)計(jì)仍將是 HBM4 16Hi 的主流鍵合技術(shù),。更多的 DRAM Die 層數(shù)意味著 HBM4 16Hi 需要進(jìn)一步地壓縮層間間隙，以保證整體堆棧高度維持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制內(nèi),。

發(fā)表于：2024/11/15

ASML預(yù)計(jì)2030年?duì)I收最高將達(dá)600億歐元

11月14日——在今日舉辦的2024 年投資者日會(huì)議上,，ASML將更新其長(zhǎng)期戰(zhàn)略以及全球市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)分析，確認(rèn)其到2030年的年收入將達(dá)到約440 億至 600 億歐元,，毛利率約為56%至 60%,。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）表示：“我們預(yù)計(jì)，在下一個(gè)十年我們有能力將EUV技術(shù)推向更高水平,，并擴(kuò)展廣泛適用的全景光刻產(chǎn)品組合,，使 ASML 能夠充分參與和抓住人工智能機(jī)遇，從而實(shí)現(xiàn)顯著的營(yíng)收和盈利增長(zhǎng),?！? 鑒于半導(dǎo)體在多種社會(huì)宏觀趨勢(shì)中的關(guān)鍵推動(dòng)作用，該行業(yè)的長(zhǎng)期發(fā)展前景依然樂(lè)觀,。除了多個(gè)重要終端市場(chǎng)的增長(zhǎng)潛力外,，得益于人工智能可能成為推動(dòng)社會(huì)生產(chǎn)力和創(chuàng)新的下一個(gè)重大驅(qū)動(dòng)力，ASML 認(rèn)為,，人工智能的崛起為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)了顯著機(jī)遇,。

發(fā)表于：2024/11/15

三星將為Meta和微軟定制HBM4解決方案

據(jù)韓國(guó)媒體MK報(bào)道，三星已經(jīng)啟動(dòng)了HBM4的開(kāi)發(fā),，并且可能將為Meta和微軟這兩大AI云服務(wù)巨頭提供定制的HBM4內(nèi)存,，以集成在它們的下一代AI解決方案當(dāng)中。這也標(biāo)志著三星HBM4工藝將首次被主流客戶(hù)采用,。

發(fā)表于：2024/11/15

臺(tái)積電美國(guó)工廠遭遇集體訴訟

臺(tái)積電美國(guó)工廠遭遇集體訴訟,！稱(chēng)歧視不會(huì)中文員工

發(fā)表于：2024/11/15