EDA與制造相關(guān)文章 消息稱臺積電加速2nm先進制程落地美國 3月1日消息,，據(jù)國外媒體報道稱，為了應(yīng)對美國的新政策,，臺積電正在加快自家的先進工藝制程落地美國,。 發(fā)表于：3/3/2025 Intel 1000億美元巨型晶圓廠宣布建設(shè)周期延期五年 3月2日消息，Intel近日調(diào)整了位于俄亥俄州New Albany的晶圓廠的建設(shè)周期規(guī)劃,，比原計劃向后推遲至少5年,，要到下一個十年才能看到了。 Intel在俄亥俄州的新工廠于2022年開工建設(shè),，分為兩個階段,，一期工程Mod 1最初計劃2025年建成，之后推遲到了2027-2028年,，現(xiàn)在進一步推遲到了2030年完工,，而投產(chǎn)時間在2030-2031年。 二期工程Mod 2的最新計劃是2031年完工,，2032年投產(chǎn),。 發(fā)表于：3/3/2025 國產(chǎn)EDA大廠芯華章官方回應(yīng)人事大地震 芯片之母！國產(chǎn)EDA大廠芯華章大地震：CEO,、CTO,、COO全部換人 官方回應(yīng) 發(fā)表于：3/3/2025 美光宣布 1γ DRAM 開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破,，滿足未來計算需求 2025 年 2 月 26 日，中國上海 — 美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布,，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設(shè)計的 1γ（1-gamma）第六代（10 納米級）DRAM 節(jié)點 DDR5 內(nèi)存樣品,。 發(fā)表于：2/28/2025 國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)?；慨a(chǎn)線正式通線 2月27日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線,。預(yù)計項目將在2025年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn),，這將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線，項目規(guī)劃全面達產(chǎn)后每周可以生產(chǎn)約1萬片車規(guī)級晶圓,。 發(fā)表于：2/28/2025 2024年四季度全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長9.9% 2月27日消息,，據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce 最新調(diào)查顯示，2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收突破280億美元,，環(huán)比增長9.9%,。由于服務(wù)器DDR5合約價上漲，加上HBM集中出貨,，全球前三大DRAM廠商營收皆持續(xù)環(huán)比增長,。平均銷售單價方面，多數(shù)應(yīng)用合約價皆反轉(zhuǎn)下跌,，僅美系CSP增加采購大容量服務(wù)器DDR5,，成為支撐價格繼續(xù)上漲的主因。 分析各DRAM供應(yīng)商2024年第四季營收狀況,，三星營收環(huán)比增長5.1%達112.5億美元,，盡管市占微幅下滑至39.3%，仍維持排名第一,。由于PC OEM及手機業(yè)者執(zhí)行庫存去化,，LPDDR4及DDR4出貨快速萎縮，加上三星去年底才集中出貨HBM產(chǎn)品,，第四季位出貨量呈環(huán)比下跌,。 發(fā)表于：2/28/2025 傳臺積電擬投資AI芯片廠商FuriosaAI 2月27日消息，據(jù)韓國中央日報報導(dǎo),，晶圓代工龍頭大廠臺積電正在計劃投資韓國人工智能芯片設(shè)計新創(chuàng)公司FuriosaAI,。 FuriosaAI公司也于2月27日回應(yīng)稱，與臺積電投資談判自2024年第四季開始,，也是FuriosaAI此次融資的一部分,，是與Meta達成最新合并協(xié)議的獨立交易。FuriosaAI與臺積電旗下投資部門臺積電全球（TSMC Global）正在討論投資規(guī)模和條件,，但尚未定案。 發(fā)表于：2/28/2025 SkyWater收購英飛凌美國8英寸晶圓廠 當?shù)貢r間2025年2月26日,，SkyWater公司與英飛凌達成協(xié)議,，收購英飛凌位于美國德克薩斯州奧斯汀的200毫米（8英寸）晶圓廠（“Fab 25”）并簽訂相應(yīng)的長期供應(yīng)協(xié)議。 發(fā)表于：2/28/2025 三菱電機擬在華構(gòu)建工業(yè)機器人完整供應(yīng)鏈 2 月 27 日消息,，據(jù)日經(jīng)新聞今日報道,，日本三菱電機將針對工業(yè)機器人等主力的工廠自動化業(yè)務(wù)調(diào)整中國的供應(yīng)鏈。將縮小大部分產(chǎn)品和零部件從日本出口的體制,，攜手當?shù)仄髽I(yè),，采購低價位產(chǎn)品。鑒于美國新政府的舉措，三菱將盡可能在中國國內(nèi)構(gòu)建完整供應(yīng)鏈,。 發(fā)表于：2/28/2025 中國20+nm成熟工藝芯片占全球28％ 2月27日消息,，雖然我國在先進半導(dǎo)體工藝方面仍有一定差距，但是說起20nm及以上的成熟工藝,，我國就誰也不怕了,，憑借龐大的產(chǎn)能和超低的價格大殺四方，直接讓西方企業(yè)惶恐不已,。 發(fā)表于：2/28/2025 群聯(lián)電子宣布攜手Lonestar打造月球首座數(shù)據(jù)中心 2月27日消息,，今天群聯(lián)電子宣布，將攜手Lonestar共同推動月球任務(wù)“Freedom Mission”,，并成功發(fā)射登月,。 Freedom Mission采用由SpaceBilt提供、并由3D打印的外殼,，結(jié)合群聯(lián)企業(yè)級Pascari SSD的極端環(huán)境耐用特性,，打造適應(yīng)太空嚴峻環(huán)境的儲存解決方案。 發(fā)表于：2/28/2025 消息稱SK海力士HBM4測試良率再創(chuàng)新高 2 月 27 日消息,，韓媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）發(fā)布博文,，報道稱 SK海力士的第 6 代 12 層堆疊高帶寬內(nèi)存 HBM4 測試良率已達 70%，為即將到來的量產(chǎn)階段奠定了堅實基礎(chǔ),，也預(yù)示著 SK 海力士在 HBM4 市場競爭中占據(jù)有利地位,。 發(fā)表于：2/27/2025 三星計劃到2030年實現(xiàn)1000層NAND 2 月 26 日消息，三星電子 DS 部門 CTO 宋在赫（???）在上周于舊金山舉行的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上發(fā)表主題演講,，并展示了其晶圓鍵合,、低溫蝕刻和鉬應(yīng)用等技術(shù)。據(jù)介紹,，這些技術(shù)將從 400 層的 NAND 閃存技術(shù)開始應(yīng)用,，而且他還提到，“鍵合技術(shù)可用于（在 NAND 區(qū)域）實現(xiàn) 1000 多層（堆疊）”,。 發(fā)表于：2/27/2025 美國擬施壓盟友升級對華芯片出口管制 2月26日消息,，據(jù)國外媒體報道稱，美國最近與日本和荷蘭會面,，討論限制兩國半導(dǎo)體設(shè)備制造商東京電子（TOKYO ELECTRON）和阿斯麥（ASML）工程師對在華半導(dǎo)體設(shè)備提供維護服務(wù),，以擴大對中國獲取先進技術(shù)的限制。 發(fā)表于：2/26/2025 美光宣布1γ DRAM內(nèi)存開始出貨 2 月 25 日消息,，美光科技剛剛宣布,，已向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節(jié)點、第六代（注：即 10nm 級）DRAM 節(jié)點的 DDR5 內(nèi)存樣品,。 發(fā)表于：2/26/2025 ?…567891011121314…?
