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EDA與制造相關(guān)文章

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的清華力量

　　在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上,，清華大學(xué)占據(jù)著無(wú)可替代的地位,。某種意義上，清華大學(xué)可以說(shuō)是中國(guó)的“造芯孵化器”,，也被譽(yù)為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“黃埔軍?！?，國(guó)內(nèi)至少有一半半導(dǎo)體企業(yè)的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì),、高管畢業(yè)于清華大學(xué)，他們?cè)谖覈?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的過(guò)程中,，發(fā)揮了難以估量的重要影響力,。可以說(shuō)清華系半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展,，是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個(gè)縮影,。

發(fā)表于：2024/7/15

國(guó)產(chǎn)EDA大廠芯華章內(nèi)部人士回應(yīng)裁員50%傳聞

國(guó)產(chǎn)EDA大廠芯華章內(nèi)部人士回應(yīng)裁員50%傳聞

發(fā)表于：2024/7/15

傳臺(tái)積電正規(guī)劃建試驗(yàn)線研發(fā)扇出型面板級(jí)封裝技術(shù)

傳臺(tái)積電正規(guī)劃建試驗(yàn)線研發(fā)扇出型面板級(jí)封裝技術(shù)

發(fā)表于：2024/7/15

英偉達(dá)臺(tái)積電和SK海力士深化三角聯(lián)盟

英偉達(dá)、臺(tái)積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內(nèi)存 2026 年量產(chǎn),、功耗比原目標(biāo)降低 20%

發(fā)表于：2024/7/15

工信部：我國(guó)芯片自給率僅10% 差距還很大

高端不行低端死命卷,！工信部：我國(guó)芯片自給率僅10% 差距還很大 7月15日消息，近日,，工信部電子五所元器件與材料研究院高級(jí)副院長(zhǎng)羅道軍公開表示,，我國(guó)芯片自給率僅10%，需要努力的地方還很多,。

發(fā)表于：2024/7/15

NVIDIA Blackwell平臺(tái)架構(gòu)GPU投片量暴增25%

7月15日消息,，據(jù)媒體報(bào)道，NVIDIA對(duì)臺(tái)積電4nm工藝增加了25%的投片量,，以滿足其最新Blackwell平臺(tái)架構(gòu)圖形處理器的生產(chǎn)需求,。 Blackwell平臺(tái)架構(gòu)GPU被譽(yù)為“地表最強(qiáng)AI芯片”，其擁有高達(dá)2,080億個(gè)電晶體,，并采用臺(tái)積電定制的4納米工藝制造,。這款GPU通過(guò)每秒10TB的芯片到芯片互連技術(shù)連接成單個(gè)、統(tǒng)一的GPU,，支持AI訓(xùn)練和大型語(yǔ)言模型推理,，模型可擴(kuò)展至10兆個(gè)參數(shù)。

發(fā)表于：2024/7/15

AMD計(jì)劃2025年至2026年間應(yīng)用玻璃基板技術(shù)

AMD計(jì)劃2025年至2026年間應(yīng)用玻璃基板技術(shù)

發(fā)表于：2024/7/12

西電攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

發(fā)表于：2024/7/12

玻璃基板技術(shù)開創(chuàng)半導(dǎo)體芯片封裝新格局

7 月 12 日消息,，集邦咨詢于 7 月 10 日發(fā)布博文,，玻璃基板技術(shù)憑借著卓越的性能以及諸多優(yōu)勢(shì),，已經(jīng)成為先進(jìn)封裝領(lǐng)域一顆冉冉升起的新星。玻璃基板技術(shù) 芯片基板是用來(lái)固定晶圓切好的裸晶（Die）,，封裝的最后一步的主角,，基板上固定的裸晶越多，整個(gè)芯片的晶體管數(shù)量就越多,。芯片基板材料主要經(jīng)歷了兩次迭代,，上世紀(jì) 70 年代開始使用引線框架，在 90 年代過(guò)渡到陶瓷基板,，也是目前最常見的有機(jī)材料基板,。在封裝解決方案中，玻璃基板相比有機(jī)基板有更多優(yōu)勢(shì),，IT 之家簡(jiǎn)要匯總?cè)缦拢? 卓越的機(jī)械,、物理和光學(xué)特性

發(fā)表于：2024/7/12

三星無(wú)限期罷工已影響部分芯片生產(chǎn)

三星無(wú)限期罷工已影響部分芯片生產(chǎn)

發(fā)表于：2024/7/12

Melexis馬來(lái)西亞晶圓測(cè)試基地盛大落成,，實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略擴(kuò)張

　　2024年07月10日，馬來(lái)西亞古晉——全球微電子工程公司邁來(lái)芯宣布,，其位于馬來(lái)西亞砂拉越州古晉的全球最大晶圓測(cè)試基地已圓滿落成,。此次擴(kuò)張不僅標(biāo)志著邁來(lái)芯對(duì)半導(dǎo)體增長(zhǎng)需求的積極響應(yīng)，也體現(xiàn)公司在亞太地區(qū)擴(kuò)大的影響力和市場(chǎng)覆蓋的戰(zhàn)略布局,。

發(fā)表于：2024/7/11

2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)1090億美元

2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)1090億美元,，中國(guó)大陸市場(chǎng)獨(dú)占32%！ 7月10日,，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）公布預(yù)測(cè)報(bào)告指出,，2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng)3.4%至1,090億美元，將超越2022年的1,074億美元,，創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄,。同時(shí)，SEMI預(yù)計(jì)2025年將呈現(xiàn)更為強(qiáng)勁的增長(zhǎng),，預(yù)估將大幅增長(zhǎng)17%至1,280億美元,，改寫2024年所將創(chuàng)下的紀(jì)錄。

發(fā)表于：2024/7/11

三星正式回應(yīng)自家3nm工藝良率不到20%傳聞

三星回應(yīng)“投資8400億自家3nm工藝良率不到20%”：性能,、產(chǎn)能步入正軌

發(fā)表于：2024/7/11

美國(guó)宣布投資16億美元助力先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月9日,，美國(guó)商務(wù)部發(fā)布了一項(xiàng)意向通知（NOI），宣布啟動(dòng)一項(xiàng)新的研發(fā)（R?&D）活動(dòng)競(jìng)賽,，以建立和加速國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)能,。正如美國(guó)國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃（NAPMP）的愿景所概述的那樣，美國(guó)“芯片法案”計(jì)劃預(yù)計(jì)將為五個(gè)研發(fā)領(lǐng)域的創(chuàng)新提供高達(dá)16億美元的資金,。通過(guò)潛在的合作協(xié)議,，“芯片法案”將在每個(gè)研究領(lǐng)域提供多個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng),，每個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)提供約1.5億美元的聯(lián)邦資金，并預(yù)計(jì)將撬動(dòng)來(lái)自工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的私營(yíng)部門投資,。受資助的活動(dòng)預(yù)計(jì)將與五個(gè)研發(fā)領(lǐng)域中的一個(gè)或多個(gè)相關(guān)：

發(fā)表于：2024/7/11

商務(wù)部：對(duì)原產(chǎn)于日本和美國(guó)的進(jìn)口光纖預(yù)制棒繼續(xù)征收反傾銷稅

商務(wù)部：對(duì)原產(chǎn)于日本和美國(guó)的進(jìn)口光纖預(yù)制棒繼續(xù)征收反傾銷稅

發(fā)表于：2024/7/11