CMOS和TTL電路探討
所屬分類(lèi)：技術(shù)論文
上傳者：serena
標(biāo)簽： CMOS TTL
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文檔介紹： 通常以為T(mén)TL門(mén)的速度高于CMOS門(mén)電路,。影響TTL門(mén)電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開(kāi)關(guān)特性,、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻數(shù)值,。電阻數(shù)值越大,，作速度越低,。管子的開(kāi)關(guān)時(shí)間越長(zhǎng),，門(mén)的工作速度越低,。門(mén)的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對(duì)于輸入波形上有傳輸延時(shí),。將tpd與空載功耗P的乘積稱(chēng)速度-功耗積,，做為器件性能的一個(gè)重要指標(biāo)，其值越小,，表明器件的性能越 好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）,。與TTL門(mén)電路的情況不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部,，即負(fù)載電容CL,。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門(mén)的傳輸延時(shí)約為幾十納秒,。
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