一種基于130 nm CMOS工藝的K波段上/下雙向混頻器
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>916 K
標簽： 上/下雙向混頻器 K波段 CMOS
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文檔介紹：基于130 nm RF CMOS工藝，提出了一種可實現(xiàn)上/下雙向變頻功能的K波段有源混頻器,。當收發(fā)機工作于接收模式時,，雙向混頻器執(zhí)行下變頻功能,，將低噪放大器放大后的射頻信號轉換為中頻信號；當收發(fā)機工作于發(fā)射模式時,，雙向混頻器則實現(xiàn)上變頻功能,，將輸入的基帶信號轉換為射頻信號并輸出至功率放大器。后仿真結果表明,，在0 dBm的本振驅動下,，混頻器工作于上變頻模式時的轉換增益、噪聲系數(shù),、輸出1 dB壓縮點在23~25 GHz范圍內分別為-1.1~-0.4 dB,、12.9~3.3 dB、-8.2 dBm@24 GHz,；工作于下變頻工作模式時的轉換增益,、噪聲系數(shù)、輸入1 dB壓縮點在23~25 GHz范圍內分別為2.4~3.4 dB,、15.2~15.6 dB,、-3.6 dBm@24 GHz?；祛l器芯片面積為0.6 mm2,；在1.5 V供電電壓下，消耗功率12 mW,。
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