詳解晶體管 | |
所屬分類:解決方案 | |
上傳者:news | |
文檔大?。?span>2134 K | |
標(biāo)簽: ADI TI FPGA | |
所需積分:2分積分不夠怎么辦,? | |
文檔介紹:晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(FET),。 晶體管有三個(gè)極,;雙極性晶體管的三個(gè)極,,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter),、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain),。 晶體管因?yàn)橛腥N極性,,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大,、CE組態(tài)),、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大,、CC組態(tài),、發(fā)射極隨耦器)。 | |
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