0.13μm射頻MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性及模擬
所屬分類：解決方案
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文檔大?。?span>396 K
標(biāo)簽： ADI TI FPGA
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文檔介紹：采用0113μm CMOS 射頻和混合信號(hào)工藝進(jìn)行了射頻nMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管版圖的優(yōu)化設(shè)計(jì)和芯片制作.對(duì)制作的射頻nMOS 器件進(jìn)行了直流特性和S 參數(shù)測(cè)試, 測(cè)試結(jié)果表明射頻nMOS 管的特征頻率f T 達(dá)到了93GHz , f max超過(guò)了90GHz . 采用小信號(hào)等效電路模型對(duì)該nMOS 管的交流特性進(jìn)行了模擬. 在100MHz 到30GHz 頻率范圍內(nèi)得到了與測(cè)試結(jié)果相吻合的仿真結(jié)果.
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