基于場效應(yīng)晶體管的高壓電脈沖產(chǎn)生技術(shù) | |
所屬分類:解決方案 | |
上傳者:news | |
文檔大?。?span>250 K | |
標(biāo)簽: ADI TI FPGA | |
所需積分:2分積分不夠怎么辦,? | |
文檔介紹:以高速MOSFET器件為基礎(chǔ),對超快高壓電脈沖產(chǎn)生技術(shù)進(jìn)行了實驗研究,。采用多路并聯(lián)的高速MOSFET與感應(yīng)疊加相結(jié)合的形式,,得到脈沖半寬度為300 ns,、上升時間約為60 ns,、時間間隔600 ns的超快方波雙脈沖;在負(fù)載電阻為11.5 Q時,,可以產(chǎn)生365 A的脈沖峰值電流,,并且能夠提供1.5 Mw 的峰值輸出功率。 | |
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