基于Ga2O3的場效應器件研究進展
所屬分類:技術論文
上傳者:aetmagazine
文檔大小:660 K
標簽: Ga2O3 寬禁帶半導體 場效應晶體管
所需積分:0分積分不夠怎么辦,?
文檔介紹:氧化鎵(Ga2O3)作為第三代寬禁帶半導體材料,,由于其超寬帶隙、高擊穿場強以及高巴利加優(yōu)值等優(yōu)點,,廣泛應用于大功率器件等領域,,已成為近幾年來國內外科研人員研究的熱點。主要介紹了Ga2O3材料的特性,,總結了基于Ga2O3的場效應晶體管(FET)的研究進展,,對Ga2O3功率器件的發(fā)展進行了思考歸納,。
現在下載
VIP會員,AET專家下載不扣分,;重復下載不扣分,,本人上傳資源不扣分。