TSV可靠性綜述
所屬分類:技術(shù)論文
上傳者:aetmagazine
文檔大?。?span>724 K
標(biāo)簽: TSV KOZ 熱應(yīng)力
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文檔介紹:對硅通孔(Through Silicon Via,,TSV)技術(shù)的可靠性進(jìn)行了綜述,,主要分為三個方面:熱應(yīng)力,,工藝和壓阻效應(yīng)。TSV熱應(yīng)力可靠性問題體現(xiàn)在不同材料之間的熱膨脹系數(shù)差異較大,,過大的熱應(yīng)力可能導(dǎo)致界面分層和裂紋;TSV工藝可靠性體現(xiàn)在側(cè)壁的連續(xù)性以及填充銅的質(zhì)量;有源區(qū)中載流子的遷移率會受到TSV熱應(yīng)力的影響,。在TSV周圍規(guī)定一個保持區(qū)域(Keep-Out Zone,KOZ),。KOZ設(shè)置為載流子遷移率不超過5%的區(qū)域,。當(dāng)載流子遷移率超過5%,可能會導(dǎo)致電路的時序被破壞,,使集成電路失效,。
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