高頻驅(qū)動(dòng)電路與高效GaN HEMT電源模塊的實(shí)現(xiàn)
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>633 K
標(biāo)簽： 氮化鎵 電源模塊 驅(qū)動(dòng)電路
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文檔介紹：為了滿足當(dāng)前電源模塊高效大功率的要求，針對(duì)氮化鎵器件設(shè)計(jì)一款高頻驅(qū)動(dòng)電路,，并搭建形成高頻高效的電源模塊,。電路通過調(diào)節(jié)死區(qū)最小化處理模塊與非重疊模塊，抑制功率器件的大電流直通現(xiàn)象,，有助于提升電源模塊的效率,；利用氮化鎵器件的高頻特性，使電源系統(tǒng)的工作頻率大幅提升,。電源系統(tǒng)測(cè)試結(jié)果表明,，1 MHz時(shí)輸出波形上升沿、下降沿時(shí)間分別為10 ns和5 ns,；10 MHz時(shí)輸出波形上升沿,、下降沿時(shí)間分別為14 ns和8 ns。系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)10 W左右的大功率輸出,。1 MHz和10 MHz工作頻率下系統(tǒng)達(dá)到的效率分別為93.7%和83.5%,。
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