一種Ku頻段高密度集成的陶瓷SiP封裝R組件的設(shè)計
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>7248 K
標簽： 有源相控陣 Ku頻段 SIP
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文檔介紹：針對機載衛(wèi)星通信天線尺寸小、重量輕,、可靠性強的需求,，結(jié)合多層陶瓷轉(zhuǎn)接板布線靈活、重量輕的特點,，BGA封裝I/O口多,、體積小的優(yōu)勢，提出了一種基于HTCC工藝SiP-BGA封裝架構(gòu)的2×4通道Ku頻段雙極化R組件的設(shè)計方法,。利用電磁仿真軟件對組件中高密度射頻垂直過渡互聯(lián)結(jié)構(gòu)進行了仿真設(shè)計,，同時設(shè)計了一款小型化薄膜功分器,，以實現(xiàn)4通道接收信號的合成；此外,，為確保組件的射頻性能及工程可實現(xiàn)性,，對整個組件的通道隔離度、散熱性進行了仿真計算,；最后研制出小型化,、高集成度的2×4通道Ku頻段R組件，其體積為13 mm×12.5 mm×2.5 mm,，重量小于4 g,。組件電性能測試結(jié)果與仿真設(shè)計結(jié)果吻合良好，測試結(jié)果表明,，該組件在10~12.8 GHz頻段內(nèi)合成增益大于23 dB,，輸入P-1dB不小于-5 dBm。
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