高階∑△ADC中積分器的設(shè)計 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:aet | |
文檔大?。?span>224 K | |
所需積分:0分積分不夠怎么辦,? | |
文檔介紹:基于N阱 0.6μm DPDM CMOS工藝,完成了高階∑△ADC中第一級積分器的設(shè)計,。分析了開關(guān)電容積分器的非理想特性,,同時設(shè)計了一個對寄生電容不敏感的同相開關(guān)電容(SC)積分器,,并特別采用旁路電容減小溝道電荷注入引起的諧波失真和噪聲。在cadence下的電路仿真表明,,積分器具有-104.9dB等效輸入噪聲,;利用MATLAB進行系統(tǒng)仿真,∑△ADC的信號噪聲畸變比(SNDR)達到100.5dB,,滿足系統(tǒng)16bit的要求,。 | |
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