延長CMOS壽命的關(guān)鍵因素
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
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文檔介紹：對于模擬CMOS（互補(bǔ)對稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言,，兩大主要危害是靜電和過壓,。了解這兩大危害,，用戶便可以有效應(yīng)對。
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