自偏置低噪放的設(shè)計與改進(jìn)
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aet
文檔大?。?span>256 K
標(biāo)簽： RF|微波
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文檔介紹：分析了貼片電容的非理想特性在C波段及以上頻率的自偏置電路旁路應(yīng)用中對低噪放設(shè)計的不利影響,。分析表明,貼片電容用做自偏置旁路時將嚴(yán)重惡化電路的穩(wěn)定性和噪聲指標(biāo),。提出了對自偏置電路的改進(jìn)方法及工藝實現(xiàn)，從而避免了電容對指標(biāo)的負(fù)面影響,。為了驗證改進(jìn)電路的優(yōu)勢,，采用改進(jìn)的自偏置電路設(shè)計了6 GHz~9 GHz低噪放，實驗結(jié)果很好地驗證了其分析,。
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