3~5 GHz超寬帶可變增益CMOS低噪聲放大器的設計
所屬分類：技術論文
上傳者：aet
文檔大?。?span>393 K
標簽： 放大器
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文檔介紹：基于TSMC 0.18 μm RF CMOS工藝，設計了一款工作在3 GHz～5 GHz的增益連續(xù)可調CMOS低噪聲放大器,。采用RC電阻負反饋式結構以獲得良好的輸入匹配和噪聲性能,。通過改變第二級MOS管的偏流, 在工作頻段內獲得了36.5 dB的連續(xù)增益可調,。
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