基于功耗限制的CMOS低噪聲放大器最優(yōu)化設(shè)計(jì)
所屬分類:參考設(shè)計(jì)
上傳者:aet
文檔大?。?span>169 K
標(biāo)簽: RF|微波
所需積分:0分積分不夠怎么辦,?
文檔介紹:分析了進(jìn)行功耗限制條件下怎樣得到低噪聲放大器的最優(yōu)噪聲,并就阻抗匹配及小信號(hào)電壓增益進(jìn)行了詳細(xì)討論,。介紹了采用0.25um CMOS工藝設(shè)計(jì)的工作在2.4GHz頻率下的全集成低噪聲放大器,。模擬結(jié)果表明,在2.4GHz工作頻率下,,低噪聲放大器的功耗為16mW,,正向增益S21可達(dá)15dB,反射參數(shù)S11,、S22分別小于-23dB和-20dB,,噪聲系數(shù)NF為2.7dB,三階互調(diào)點(diǎn)IIP3為-0.5dB,。
現(xiàn)在下載
VIP會(huì)員,,AET專家下載不扣分;重復(fù)下載不扣分,,本人上傳資源不扣分,。