三星 相關(guān)文章(4950篇)
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消息稱三星電子將為移動處理器引入HPB冷卻技術(shù)
發(fā)表于：2024/7/4 8:24:00
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（更新：三星否認(rèn)）消息稱三星HBM內(nèi)存芯片通過英偉達(dá)測試
發(fā)表于：2024/7/4 8:23:00
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三星與大唐移動專利糾紛達(dá)成和解
發(fā)表于：2024/7/3 8:39:00
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三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù)
發(fā)表于：2024/7/3 8:33:00
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三星計劃加入微軟谷歌等八巨頭的UALink聯(lián)盟
發(fā)表于：2024/7/1 12:18:00
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美國等掏空韓國半導(dǎo)體人才 三星和SK海力士成重災(zāi)區(qū)
發(fā)表于：2024/7/1 12:15:00
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消息稱三星SK 海力士已啟動芯片浸沒式液冷兼容測試
發(fā)表于：2024/6/28 8:48:00
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三星否認(rèn)3nm晶圓代工廠出現(xiàn)生產(chǎn)缺陷
發(fā)表于：2024/6/26 16:27:35
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消息稱三星3nm項目總投資超過1160億美元
發(fā)表于：2024/6/25 8:30:45
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美國對中國半導(dǎo)體制裁下韓國設(shè)備最杯具
發(fā)表于：2024/6/25 8:30:43
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三星美國得州芯片工廠推遲至2026年投產(chǎn)
發(fā)表于：2024/6/24 8:35:29
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三星聯(lián)手聯(lián)發(fā)科完成基于vRAN的5G RedCap技術(shù)測試
發(fā)表于：2024/6/24 8:35:24
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三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：2024/6/24 8:35:14
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三星Exynos 2500 3nm良率僅20%
發(fā)表于：2024/6/24 8:35:00
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三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單
發(fā)表于：2024/6/19 8:30:43
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HBM訂單2025年已預(yù)訂一空
發(fā)表于：2024/6/19 8:30:35
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三星宣布與Synposys合作優(yōu)化2nm芯片
發(fā)表于：2024/6/18 8:38:50
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2024上半年中國可折疊OLED面板出貨量將首次超越韓國三星
發(fā)表于：2024/6/18 8:38:34
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淺析HBM五大關(guān)鍵門檻
發(fā)表于：2024/6/18 8:38:25
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三星公布引領(lǐng)AI時代半導(dǎo)體技術(shù)路線圖
發(fā)表于：2024/6/14 8:55:22
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三星祭出交鑰匙代工服務(wù) 加速AI芯片生產(chǎn)
發(fā)表于：2024/6/14 8:55:01
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中芯國際沖到全球前三：僅次于臺積電三星
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:20
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美國芯片制造業(yè)迎來歷史性投資,，狂砸資金新建工廠
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:20
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三星公布芯片技術(shù)路線圖
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:00
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消息稱三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五成
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:45
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三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:27
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三星被曝挖來蘋果Siri資深高管領(lǐng)導(dǎo)北美AI團(tuán)隊
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:25
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AMD與三星在3nm GAA上目前并無任何實質(zhì)進(jìn)展
發(fā)表于：2024/6/6 8:52:46
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高通：正考慮實施臺積電,、三星電子雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略
發(fā)表于：2024/6/6 8:52:46
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黃仁勛確認(rèn)三星HBM3e未通過英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：2024/6/5 8:57:20
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