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消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場(chǎng)
發(fā)表于：1/16/2025 11:26:14 AM
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南亞科技稱DRAM市場(chǎng)將于2025年二季度開始復(fù)蘇
發(fā)表于：1/16/2025 9:08:31 AM
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美光宣布投資21.7億美元提升美國(guó)特種DRAM產(chǎn)能
發(fā)表于：1/2/2025 9:00:00 AM
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TrendForce預(yù)估2025年一季度一般型DRAM內(nèi)存合約價(jià)下跌
發(fā)表于：12/31/2024 11:44:00 AM
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三星準(zhǔn)備開發(fā)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)1e nm DRAM
發(fā)表于：12/31/2024 11:16:19 AM
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國(guó)產(chǎn)DRAM的市場(chǎng)份額有望快速升至15％
發(fā)表于：12/27/2024 10:29:35 AM
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南亞科技宣布攜手補(bǔ)丁科技合作開發(fā)HBM
發(fā)表于：12/20/2024 10:50:19 AM
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三星電子搶建10nm第七代DRAM測(cè)試線
發(fā)表于：12/19/2024 10:14:00 AM
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DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向
發(fā)表于：12/16/2024 3:35:53 PM
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消息稱三星電子啟動(dòng)下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購(gòu)
發(fā)表于：12/11/2024 11:39:59 AM
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通用PC DRAM內(nèi)存價(jià)格暴跌35.7%
發(fā)表于：12/10/2024 10:39:29 AM
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SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門
發(fā)表于：12/6/2024 9:39:33 AM
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美國(guó)對(duì)華HBM出口管制規(guī)則公布
發(fā)表于：12/3/2024 1:32:38 PM
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三星將展示42.5Gbps超高速24GB GDDR7顯存
發(fā)表于：12/2/2024 9:55:55 AM
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三星電子官宣2025年度重大組織與高管結(jié)構(gòu)調(diào)整
發(fā)表于：11/27/2024 1:51:40 PM
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2024Q3全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收260.2億美元
發(fā)表于：11/27/2024 1:01:10 PM
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TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌
發(fā)表于：11/21/2024 10:19:00 AM
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ASML在2024 年投資者日會(huì)議上就市場(chǎng)機(jī)遇提供最新看法
發(fā)表于：11/18/2024 11:00:36 PM
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TrendForce研報(bào)預(yù)計(jì)2025年DRAM 價(jià)格將下跌
發(fā)表于：11/18/2024 8:10:34 PM
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DDR4內(nèi)存正逐漸被放棄
發(fā)表于：11/11/2024 10:41:33 AM
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鎧俠宣布斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存
發(fā)表于：11/8/2024 8:52:15 AM
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TrendForce預(yù)測(cè)2025年DRAM產(chǎn)量同比增長(zhǎng)25%
發(fā)表于：11/7/2024 10:56:35 AM
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：11/4/2024 1:16:16 PM
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三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)三季度獲利環(huán)比大跌40%
發(fā)表于：11/1/2024 8:18:53 AM
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三星前員工涉嫌向韓國(guó)泄露國(guó)產(chǎn)內(nèi)存秘密被中國(guó)警方逮捕
發(fā)表于：10/31/2024 9:27:05 AM
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消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出
發(fā)表于：10/30/2024 11:22:15 AM
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消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發(fā)表于：10/23/2024 11:18:21 AM
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：10/18/2024 10:19:43 AM
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TrendForce預(yù)測(cè)2024年第四季度DRAM價(jià)格漲幅放緩
發(fā)表于：10/14/2024 10:01:38 AM
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摩根士丹利報(bào)告顯示DRAM市場(chǎng)寒冬將至
發(fā)表于：9/19/2024 11:21:01 AM
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