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美光計(jì)劃斥資70億美元在日本建廠提高DRAM芯片產(chǎn)能
發(fā)表于：10/21/2021 9:07:46 PM
應(yīng)用材料公司發(fā)布電子束量測(cè)系統(tǒng) 支持先進(jìn)邏輯芯片和內(nèi)存芯片圖形化新戰(zhàn)略
發(fā)表于：10/19/2021 7:51:00 PM
下半年DRAM價(jià)格預(yù)測(cè)：第四季將轉(zhuǎn)跌3~8%
發(fā)表于：9/22/2021 4:07:30 PM
下一代EUV光刻機(jī),，新型晶體管,，摩爾定律的“救星”大盤(pán)點(diǎn),！
發(fā)表于：9/6/2021 3:38:56 PM
泛林硅部件推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
發(fā)表于：8/30/2021 10:26:00 PM
美光科技預(yù)計(jì)2022年內(nèi)存芯片供應(yīng)將保持緊張
發(fā)表于：8/12/2021 6:56:42 AM
ASML公布第二季度財(cái)報(bào),，銷(xiāo)售額為40億歐元
發(fā)表于：7/25/2021 9:31:46 AM
ASML公布新財(cái)報(bào) 首臺(tái)全新EUV極紫外光刻機(jī)交付
發(fā)表于：7/24/2021 9:45:20 PM
SK海力士采用EUV量產(chǎn)第四代10nm級(jí)DRAM
發(fā)表于：7/13/2021 8:44:08 AM
一季度三星智能手機(jī)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額高達(dá)49%
發(fā)表于：7/9/2021 8:54:45 PM
韓國(guó)芯片大廠被曝DRAM產(chǎn)品缺陷，24萬(wàn)片芯片恐將銷(xiāo)毀
發(fā)表于：6/11/2021 11:39:37 PM
在DRAM和NAND市場(chǎng) 三星有望穩(wěn)居冠軍寶座
發(fā)表于：6/10/2021 6:28:35 AM
第三季Graphics DRAM合約市場(chǎng)供給仍吃緊,，預(yù)估價(jià)格續(xù)漲8~13%
發(fā)表于：6/9/2021 3:01:20 PM
關(guān)于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的一些“冷靜聲音”
發(fā)表于：6/8/2021 9:41:13 AM
入局主流存儲(chǔ)市場(chǎng)，兆易創(chuàng)新首款自有品牌DRAM產(chǎn)品正式發(fā)布
發(fā)表于：6/3/2021 10:37:49 PM
成功切入主流市場(chǎng),，兆易創(chuàng)新首款自有品牌DRAM產(chǎn)品正式發(fā)布
發(fā)表于：6/3/2021 5:19:21 PM
美光1α制程DRAM批量出貨！不使用EUV,，同樣實(shí)現(xiàn)極高密度,！
發(fā)表于：6/2/2021 4:13:10 PM
誰(shuí)能“替代”DRAM
發(fā)表于：5/28/2021 9:55:07 AM
服務(wù)器采購(gòu)力道強(qiáng)勁,，第三季server DRAM價(jià)格或再調(diào)漲3~8%
發(fā)表于：5/27/2021 2:06:00 PM
美光三季度營(yíng)收有望超出業(yè)績(jī)預(yù)期
發(fā)表于：5/27/2021 6:07:28 AM
西安紫光國(guó)芯亮相第五屆絲博會(huì)
發(fā)表于：5/25/2021 9:13:55 PM
日媒：老款DRAM價(jià)格漲至2倍
發(fā)表于：5/21/2021 1:47:34 PM
這款芯片將成為DRAM的替代者？
發(fā)表于：5/20/2021 10:06:17 AM
應(yīng)用材料公司推出DRAM微縮領(lǐng)域的材料工程解決方案
發(fā)表于：5/8/2021 1:30:05 PM
輪流漲價(jià),！第二季度內(nèi)存預(yù)計(jì)漲價(jià)最高可達(dá)28%
發(fā)表于：4/25/2021 3:23:46 PM
30年,！臺(tái)灣DRAM不死心
發(fā)表于：4/23/2021 10:26:07 AM
關(guān)于NOR Flash供給,、DRAM研發(fā)進(jìn)展,，兆易創(chuàng)新最新回應(yīng)來(lái)了
發(fā)表于：4/20/2021 4:44:07 PM
旺季備貨需求增溫,，第二季整體DRAM季漲幅擴(kuò)大至18~23%
發(fā)表于：4/20/2021 4:41:56 PM
DRAM供不應(yīng)求加重
發(fā)表于：4/14/2021 9:21:33 PM
SK海力士預(yù)測(cè)存儲(chǔ)未來(lái)：3D NAND600層以上,，DRAM10nm以下
發(fā)表于：3/28/2021 7:42:09 PM

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