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解決方案

一種提高步進(jìn)電機(jī)運(yùn)行質(zhì)量的電流控制方法[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

通常,，步進(jìn)電機(jī)不是由模擬線性放大器驅(qū)動(dòng),；而是由PWM電流調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)，把線性的正弦波信號轉(zhuǎn)換成了離散的直線段信號,。正弦波可被分成多段,，隨著段數(shù)的增加,，波形不斷接近正弦波。實(shí)際應(yīng)用中,，段數(shù)多從4到2048或更多,，大多數(shù)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)IC采用4到64段細(xì)分。整步驅(qū)動(dòng),，每一時(shí)刻只有一個(gè)相通電,，兩相電流交替和電流方向切換,，使得一共產(chǎn)生四個(gè)步進(jìn)電機(jī)機(jī)械狀態(tài)。

發(fā)表于：10/27/2017 2:13:00 PM

簡述步進(jìn)電機(jī)原理[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

所謂步進(jìn)電動(dòng)機(jī)就是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu);更通俗一點(diǎn)講：當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號,，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度,。步進(jìn)電機(jī)廣泛用于數(shù)控機(jī)床、自動(dòng)送料機(jī),、軟盤驅(qū)動(dòng)器的馬達(dá),、打印機(jī)、繪圖儀等設(shè)備中,。

發(fā)表于：10/27/2017 2:10:06 PM

簡述步進(jìn)電機(jī)原理[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

所謂步進(jìn)電動(dòng)機(jī)就是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu);更通俗一點(diǎn)講：當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號,，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度。步進(jìn)電機(jī)廣泛用于數(shù)控機(jī)床,、自動(dòng)送料機(jī),、軟盤驅(qū)動(dòng)器的馬達(dá)、打印機(jī),、繪圖儀等設(shè)備中,。

發(fā)表于：10/27/2017 2:10:06 PM

一起來說說步進(jìn)電機(jī)[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

?步進(jìn)電機(jī)是將電脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)榻俏灰苹蚓€位移的開環(huán)控制電機(jī),，是現(xiàn)代數(shù)字程序控制系統(tǒng)中的主要執(zhí)行元件，應(yīng)用極為廣泛,。,。在非超載的情況下,，電機(jī)的轉(zhuǎn)速,、停止的位置只取決于脈沖信號的頻率和脈沖數(shù),，而不受負(fù)載變化的影響，當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號,，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度，稱為“步距角”,，它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的,。可以通過控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量,，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的,；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速的目的,。

發(fā)表于：10/27/2017 2:03:00 PM

mos管和三極管相比優(yōu)缺點(diǎn)?[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

場效應(yīng)管是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬于不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進(jìn)而根據(jù)漏極電流表達(dá)式來求出電流值,然后進(jìn)行模型分析,求出跨導(dǎo)和輸出電阻. 而三極管要先建立模型,然后進(jìn)行電路分析,求解過程特別是計(jì)算很復(fù)雜,容易出錯(cuò); 總體而言,我覺得場效應(yīng)管的分析要比三極管簡單一些.

發(fā)表于：10/16/2017 3:10:09 PM

IGBT模塊工作原理以及檢測方法[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫,，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管,，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用,，在較高頻率的大,、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

發(fā)表于：10/16/2017 2:43:51 PM

雙極性晶體管[模擬設(shè)計(jì)][其他]

因?yàn)锽JT有三個(gè)電極,，所以存在相應(yīng)的三個(gè)不同的擊穿電壓值：BVcbo,，BVceo和BVebo；這三個(gè)擊穿電壓實(shí)際上也就是對應(yīng)于BJT的三個(gè)反向截止電流（Icbo,，Iceo和Iebo）分別急劇增大時(shí)的電壓,。

發(fā)表于：10/16/2017 2:03:42 PM

晶體管是怎樣制造出來的[模擬設(shè)計(jì)][其他]

晶體管是二極管、三極管,、場效應(yīng)管等元器件的統(tǒng)稱,。它是一種用來對電路信號進(jìn)行處理的元件，當(dāng)然電路光有晶體管不行,，還得要其他元件配合才能完成一定的電路功能,。下面我就來談?wù)劸w管的制造過程:

發(fā)表于：10/16/2017 1:52:45 PM

CMOS管和雙極晶體管的區(qū)別（JFET類型）[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

即使是夾住氧化膜（O）的金屬（M）與半導(dǎo)體（S）的結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)），如果在（M）與半導(dǎo)體（S）之間外加電壓的話,，也可以產(chǎn)生空乏層。再加上較高的電壓時(shí),，氧華膜下能積蓄電子或空穴,，形成反轉(zhuǎn)層,。將其作為開關(guān)利用的即為MOSFET。

發(fā)表于：10/13/2017 3:47:39 PM

MOS管的幾種效應(yīng)[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

1 溝道長度調(diào)制效應(yīng)（channel length modulation） MOS晶體管中,柵下溝道預(yù)夾斷后,、若繼續(xù)增大Vds，夾斷點(diǎn)會(huì)略向源極方向移動(dòng),。導(dǎo)致夾斷點(diǎn)到源極之間的溝道長度略有減小，有效溝道電阻也就略有減小，從而使更多電子自源極漂移到夾斷點(diǎn),，導(dǎo)致在耗盡區(qū)漂移電子增多,使Id增大,，這種效應(yīng)稱為溝道長度調(diào)制效應(yīng),。

發(fā)表于：10/12/2017 2:56:40 PM