解決方案 mosfet的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)[模擬設(shè)計(jì)][其他] 動(dòng)態(tài)特性主要描述輸入量與輸出量之間的時(shí)間關(guān)系,，它影響器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程,。由于該器件為單極型,，靠多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此開(kāi)關(guān)速度快、時(shí)間短,，一般在納秒數(shù)量級(jí)。Power MOSFET的動(dòng)態(tài)特性,。 發(fā)表于：10/11/2017 2:22:00 PM mosfet的靜態(tài)特性和主要參數(shù)[模擬設(shè)計(jì)][其他] Power MOSFET靜態(tài)特性主要指輸出特性和轉(zhuǎn)移特性，與靜態(tài)特性對(duì)應(yīng)的主要參數(shù)有漏極擊穿電壓,、漏極額定電壓,、漏極額定電流和柵極開(kāi)啟電壓等,。 發(fā)表于：10/11/2017 2:18:00 PM MOSFET結(jié)構(gòu)和工作原理[模擬設(shè)計(jì)][其他] 電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種,，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道,，同時(shí)又有耗盡型和增強(qiáng)型之分。在電力電子裝置中，主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)型,。 發(fā)表于：10/11/2017 2:14:00 PM MOSFET選擇策略詳解[模擬設(shè)計(jì)][其他] 在70年代晚期推出MOSFET之前,，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管（BJT）是僅有的功率開(kāi)關(guān),。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件,。在80年代,，IGBT面市,，它仍然是一種電壓控制器件,。MOSFET是正溫度系數(shù)器件,，而IGBT則不一定。MOSFET是多數(shù)載流子器件,，因而是高頻應(yīng)用的理想選擇。 發(fā)表于：10/11/2017 2:05:00 PM 晶體管工作原理[模擬設(shè)計(jì)][其他] 導(dǎo)讀：晶體管，只是對(duì)所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱,，那么問(wèn)題來(lái)了，晶體管工作原理是什么呢?接下來(lái)就讓我們以雙極性晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管為例來(lái)詳細(xì)了解一下吧～ 發(fā)表于：10/11/2017 1:57:00 PM ITECH能量回饋式負(fù)載[電源技術(shù)][汽車電子] 對(duì)于很多具有全球戰(zhàn)略目光的公司來(lái)說(shuō),，如何提高產(chǎn)量,、產(chǎn)品質(zhì)量和減少測(cè)試成本都是提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的路徑。最基礎(chǔ)的考慮就是設(shè)備的購(gòu)置,、校準(zhǔn)和維護(hù)成本。雖然初期投資常需要我們的關(guān)注,，但是運(yùn)營(yíng)成本往往在設(shè)備總投資中占有更大的成分。控制好總成本可以提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,。 發(fā)表于：9/17/2017 3:22:21 PM 7,、11納米LPP工藝一起登場(chǎng),，三星將奪回蘋(píng)果訂單,？[嵌入式技術(shù)][物聯(lián)網(wǎng)] 日前三星電子正式宣布,，其將11nm FinFET制程技術(shù)（11nm LPP,，Low Power Plus）提上研發(fā)日程,，預(yù)計(jì)將于明年推出首款采用該工藝的芯片。 發(fā)表于：9/13/2017 12:15:41 PM 中國(guó)電信即將開(kāi)啟NB-IoT模組宇宙第一標(biāo)[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)] 近期，作為全球NB-IoT商用最激進(jìn)的運(yùn)營(yíng)商——中國(guó)電信正在追求NB-IoT模組價(jià)格等同于GSM水準(zhǔn),，以此推動(dòng)NB-IoT模組成本年內(nèi)降至3美金左右,。 發(fā)表于：9/8/2017 2:10:38 PM 中興率先發(fā)布了5G承載解決方案5G Felxhaul[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)] 5G商用，承載先行已成為業(yè)界共識(shí),，隨著5G商用日期的日益臨近,，5G承載也越來(lái)越成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn),。日前,，中興通訊5G承載方案總工趙福川接受C114記者采訪時(shí)表示,，中興通訊率先發(fā)布了5G承載解決方案5G Felxhaul，今年下半年將完成3-4個(gè)試商用,，受到海內(nèi)外關(guān)注,。 發(fā)表于：9/8/2017 2:06:17 PM 微流體冷卻法能克服摩爾定律微縮限制,？[嵌入式技術(shù)][物聯(lián)網(wǎng)] 為了解決3D芯片堆疊時(shí)的液體冷卻問(wèn)題，DARPA研究人員開(kāi)發(fā)出一種使用絕緣介電質(zhì)制冷劑的途徑,，可望使3D芯片堆疊至任何高度,，從而突破摩爾定律(Moore's Law)的微縮限制,。 發(fā)表于：9/5/2017 4:23:52 PM ?…190191192193194195196197198199…?
