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MOS管參數(shù)解釋[模擬設(shè)計(jì)][其他]

MOSFET管是FET的一種,,可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,,P溝道或N溝道共4種類型,,一般主要應(yīng)用的為增強(qiáng)型的NMOS管和增強(qiáng)型的PMOS管,,所以通常提到的就是這兩種。

發(fā)表于:10/12/2017 2:49:22 PM

MOS管 基礎(chǔ)知識(shí)與應(yīng)用[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),,可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,,P溝道或N溝道共4種類型,,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種,。

發(fā)表于:10/12/2017 2:29:21 PM

MOS管的好壞判斷[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

主板上基本上都是N溝道的MOS管,,一般我們的測量方法如下:黑表筆接D紅表筆接S 有500歐姆左右的電阻。然后紅黑對調(diào):紅筆接D黑筆接S 萬用表顯示"1",,一般這樣我們就可以認(rèn)為管子是好的,。

發(fā)表于:10/12/2017 2:15:27 PM

三極管和MOS管的區(qū)別是什么[模擬設(shè)計(jì)][其他]

實(shí)際上說電流控制慢,電壓控制快這種理解是不對的,。要真正理解得了解雙極晶體管和MOS晶體管的工作方式才能明白,。三極管是靠載流子的運(yùn)動(dòng)來工作的,以 npn管射極跟隨器為例,,當(dāng)基極加不加電壓時(shí),,

發(fā)表于:10/12/2017 2:13:16 PM

為何IT8300給電源測試系統(tǒng)提供了最佳方案,?[電源技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

電子負(fù)載常用于在電源或其他電能轉(zhuǎn)換設(shè)備的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)試驗(yàn)中,,包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器。負(fù)載一般有兩種形式:由功率電阻組成的基礎(chǔ)負(fù)載和使用主動(dòng)電路用以動(dòng)態(tài)模擬負(fù)載變化的電子負(fù)載,。負(fù)載常用于老化測試進(jìn)而確定產(chǎn)品早期故障,,作為生產(chǎn)測試的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。電子負(fù)載常被整合到自動(dòng)測試系統(tǒng)中,。測試報(bào)告要么被存在本地或者通過電腦接口上傳,,這樣測試數(shù)據(jù)可以被進(jìn)一步處理或用于存檔。

發(fā)表于:10/12/2017 1:26:00 PM

晶體管簡介[模擬設(shè)計(jì)][其他]

嚴(yán)格意義上講,,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管,、場效應(yīng)管,、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管,。

發(fā)表于:10/11/2017 2:57:00 PM

電動(dòng)自行車控制器系統(tǒng)構(gòu)架及其發(fā)展趨勢[電源技術(shù)][汽車電子]

本文介紹了通用電動(dòng)自行車控制器系統(tǒng)構(gòu)架和基本的工作原理,。同時(shí)本文從功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)、電流檢測,、PCB設(shè)計(jì)和整機(jī)的防護(hù)四個(gè)方面詳細(xì)的探討了進(jìn)一步提高電動(dòng)自行車控制器的可靠性的設(shè)計(jì)方法及其注意的細(xì)節(jié),。最后,給出了電動(dòng)車控制器的電源電池,,集成的功率元件模塊的發(fā)展趨勢,。

發(fā)表于:10/11/2017 2:48:01 PM

電動(dòng)自行車用電機(jī)控制器原理與維修(A)[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

電動(dòng)車用電機(jī)控制器近年來的發(fā)展速度之快,使人難以想象,,操作上越來越“傻瓜”化,,而顯示則越來越復(fù)雜化。比如,,電動(dòng)車車速的控制已經(jīng)發(fā)展到“巡航鎖定”,;驅(qū)動(dòng)方面,有的同時(shí)具有電動(dòng)性能和助力功能,,如果轉(zhuǎn)換到助力狀態(tài),,借助鏈條張力測力器,或中軸扭力傳感器,,只要用腳踏動(dòng)腳蹬,,便可執(zhí)行助力或確定助力的大小。這期本刊開始給您講述控制器的知識(shí),,讓您對控制器有一個(gè)更全面的了解,。

發(fā)表于:10/11/2017 2:46:20 PM

mosfet的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

電力場效應(yīng)管是單極型壓控器件,開關(guān)速度快。但存在極間電容,,器件功率越大,,極間電容也越大。為提高其開關(guān)速度,,要求驅(qū)動(dòng)電路必須有足夠高的輸出電壓,、較高的電壓上升率、較小的輸出電阻,。另外,,還需要一定的柵極驅(qū)動(dòng)電流。

發(fā)表于:10/11/2017 2:29:21 PM

mosfet的安全工作區(qū)[模擬設(shè)計(jì)][其他]

正向偏置安全工作區(qū),,如圖4所示,。它是由最大漏源電壓極限線I、最大漏極電流極限線Ⅱ,、漏源通態(tài)電阻線Ⅲ和最大功耗限制線Ⅳ,,4條邊界極限所包圍的區(qū)域。圖中示出了4種情況:直流DC,,脈寬10ms,,1ms,10μs。它與GTR安全工作區(qū)比有2個(gè)明顯的區(qū)別:①因無二次擊穿問題,,所以不存在二次擊穿功率PSB限制線,;②因?yàn)樗☉B(tài)電阻較大,導(dǎo)通功耗也較大,,所以不僅受最大漏極電流的限制,,而且還受通態(tài)電阻的限制。

發(fā)表于:10/11/2017 2:24:19 PM

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