日前,，德州儀器 (TI) 宣布 PowerStackTM 封裝技術產品出貨量已突破 3000 萬套，該技術可為電源管理器件顯著提高性能,，降低功耗,，并改進芯片密度,。
TI 模擬封裝部 Matt Romig 指出：“為實現(xiàn)寬帶移動視頻與 4G 通信等更多內容，計算應用的性能需求不斷提升,。與此同時,，也出現(xiàn)了電信與計算設備的小型化需求。通過從 2D 到 3D 集成的真正革命，PowerStack 可幫助 TI 客戶充分滿足這些需求,。”
PowerStack 技術的優(yōu)勢是通過創(chuàng)新型封裝方法實現(xiàn)的,，即在接地引腳框架上堆棧 TI NexFETTM 功率 MOSFET，并采用兩個銅彈片連接輸入輸出電壓引腳,。這種堆棧與彈片焊接的獨特組合可實現(xiàn)更高集成的無引線四方扁平封裝 (QFN) 解決方案,。
通過 PowerStack 技術堆棧 MOSFET，最明顯的優(yōu)勢是可使封裝尺寸比并排排列 MOSFET 的其它解決方案銳減達 50%,。除降低板級空間之外,，PowerStack 封裝技術還可為電源管理器件提供優(yōu)異的熱性能、更高的電流性能與效率,。如欲了解有關 PowerStack 優(yōu)勢的更多詳情,，敬請訪問：ti.com/powerstack。
TechSearch 國際創(chuàng)始人兼總裁 Jan Vardaman 表示：“PowerStack 是我在電源市場所見過的首項具有如此強大功能的封裝技術,，3D 封裝解決方案的勢頭在不斷加強,，該技術將是解決各種當前及新一代設計挑戰(zhàn)的理想選擇。”
PowerStack 現(xiàn)已在 TI Clark 廠投入量產,。
TI 菲律賓公司總經理 Bing Viera 指出：“Clark 是我們位于菲律賓的,、業(yè)界一流的最新封測廠。今年,，我們將進一步提升 Clark 高級封裝技術的產能,，到第三季度該廠初期產能將提高近 1 倍。”
如欲了解關于 TI 制造技術的更多詳情,，敬請訪問：www.ti.com/powerstack-pr-mfg,。
通過領先封裝技術推進模擬發(fā)展
PowerStack 封裝技術再次凸顯了 TI 在封裝領域的創(chuàng)新技術,，其可為在更低成本下要求更高功率密度,、可靠性以及性能的應用實現(xiàn)更進一步的發(fā)展。TI 擁有數(shù)十年的豐富封裝專業(yè)技術經驗,，可為成千上萬種豐富產品,、封裝配置與技術提供支持，從而可為模擬市場提供最豐富的封裝組合,。如欲了解有關 TI 領先封裝技術的更多詳情,，敬請訪問：www.ti.com/powerstack-pr-pkg。
關于 TI NexFET 功率 MOSFET 技術
TI NexFET 功率 MOSFET 技術可為高功率計算,、網(wǎng)絡,、服務器系統(tǒng)以及電源應用提高能源效率。此外,，這些高頻率高效率模擬功率 MOSFET 還可為系統(tǒng)設計人員提供當前最高級的 DC/DC 電源轉換解決方案,。
如欲了解有關 TI NexFET™ Power Block 的更多詳情，敬請訪問：www.ti.com/powerblock-pr。
商標
PowerStack 與 NexFET 是德州儀器公司的商標,。所有其它注冊商標與商標均歸其各自所有者所有,。
