日前，德州儀器 (TI) 宣布 PowerStack^TM 封裝技術(shù)產(chǎn)品出貨量已突破 3000 萬(wàn)套,，該技術(shù)可為電源管理器件顯著提高性能,，降低功耗，并改進(jìn)芯片密度,。
　　
　　TI 模擬封裝部 Matt Romig 指出：“為實(shí)現(xiàn)寬帶移動(dòng)視頻與 4G 通信等更多內(nèi)容,，計(jì)算應(yīng)用的性能需求不斷提升。與此同時(shí),，也出現(xiàn)了電信與計(jì)算設(shè)備的小型化需求,。通過從 2D 到 3D 集成的真正革命，PowerStack 可幫助 TI 客戶充分滿足這些需求,。”
　　
　　PowerStack 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)是通過創(chuàng)新型封裝方法實(shí)現(xiàn)的,，即在接地引腳框架上堆棧 TI NexFETTM 功率 MOSFET，并采用兩個(gè)銅彈片連接輸入輸出電壓引腳,。這種堆棧與彈片焊接的獨(dú)特組合可實(shí)現(xiàn)更高集成的無引線四方扁平封裝 (QFN) 解決方案,。
　　
　　通過 PowerStack 技術(shù)堆棧 MOSFET，最明顯的優(yōu)勢(shì)是可使封裝尺寸比并排排列 MOSFET 的其它解決方案銳減達(dá) 50%,。除降低板級(jí)空間之外,，PowerStack 封裝技術(shù)還可為電源管理器件提供優(yōu)異的熱性能、更高的電流性能與效率,。如欲了解有關(guān) PowerStack 優(yōu)勢(shì)的更多詳情,，敬請(qǐng)?jiān)L問：ti.com/powerstack。
　　
　　TechSearch 國(guó)際創(chuàng)始人兼總裁 Jan Vardaman 表示：“PowerStack 是我在電源市場(chǎng)所見過的首項(xiàng)具有如此強(qiáng)大功能的封裝技術(shù),，3D 封裝解決方案的勢(shì)頭在不斷加強(qiáng),，該技術(shù)將是解決各種當(dāng)前及新一代設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的理想選擇。”
　　
　　PowerStack 現(xiàn)已在 TI Clark 廠投入量產(chǎn),。
　　
　　TI 菲律賓公司總經(jīng)理 Bing Viera 指出：“Clark 是我們位于菲律賓的,、業(yè)界一流的最新封測(cè)廠。今年,，我們將進(jìn)一步提升 Clark 高級(jí)封裝技術(shù)的產(chǎn)能,，到第三季度該廠初期產(chǎn)能將提高近 1 倍。”
　　　　
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通過領(lǐng)先封裝技術(shù)推進(jìn)模擬發(fā)展
　　PowerStack 封裝技術(shù)再次凸顯了 TI 在封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)，其可為在更低成本下要求更高功率密度,、可靠性以及性能的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更進(jìn)一步的發(fā)展,。TI 擁有數(shù)十年的豐富封裝專業(yè)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，可為成千上萬(wàn)種豐富產(chǎn)品,、封裝配置與技術(shù)提供支持,，從而可為模擬市場(chǎng)提供最豐富的封裝組合,。如欲了解有關(guān) TI 領(lǐng)先封裝技術(shù)的更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問：www.ti.com/powerstack-pr-pkg,。
　　
關(guān)于 TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)
　　TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可為高功率計(jì)算,、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器系統(tǒng)以及電源應(yīng)用提高能源效率,。此外，這些高頻率高效率模擬功率 MOSFET 還可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供當(dāng)前最高級(jí)的 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換解決方案,。
　　
　　如欲了解有關(guān) TI NexFET™ Power Block 的更多詳情,，敬請(qǐng)?jiān)L問：www.ti.com/powerblock-pr。
　　
商標(biāo)
　　PowerStack 與 NexFET 是德州儀器公司的商標(biāo),。所有其它注冊(cè)商標(biāo)與商標(biāo)均歸其各自所有者所有,。