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電源設(shè)計(jì)小貼士 41:DDR 內(nèi)存電源

Robert Kollman,,德州儀器 (TI)
2011-12-16
關(guān)鍵詞: 電源管理 DDR 內(nèi)存電源 CMOS

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率,、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān),。器件形體尺寸減小后,,電源電壓也隨之降低,,從而在柵極層大大降低功耗,。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度,,允許系統(tǒng)時鐘頻率升高至千兆赫茲級別,。在這些高時鐘頻率下,,阻抗控制、正確的總線終止和最小交叉耦合,,帶來高保真度的時鐘信號,。傳統(tǒng)上,,邏輯系統(tǒng)僅對一個時鐘沿的數(shù)據(jù)計(jì)時,而雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR) 內(nèi)存同時對時鐘的前沿和下降沿計(jì)時,。它使數(shù)據(jù)通過速度翻了一倍,,且系統(tǒng)功耗增加極少。

    高數(shù)據(jù)速率要求時鐘分配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)要倍加小心,,以此來最小化振鈴和反射效應(yīng),,否則可能會導(dǎo)致對邏輯器件非有意計(jì)時。1顯示了兩種備選總線終止方案,。第一種方案(A)中,,總線終止電阻器放置于分配網(wǎng)絡(luò)的末端,并連接至接地,。如果總線驅(qū)動器處于低態(tài)下,,電阻器的功耗便為零。在高態(tài)下時,,電阻器功耗等于電源電壓(VDD)平方除以總線電阻(源阻抗加端接電阻),。平均功耗為電源電壓平方除以兩倍總線電阻。

1 VTT 端接電壓降低一半端接功耗

    第二種方案(B)中,,端接電阻器連接至電源電壓(VTT),,電源電壓為 VDD 電壓的一半。電阻器功耗恒定,,且與電源電壓無關(guān),,其等于 VTT(或(Vdd/2))平方除以端接電阻。相比第一種方法,,這種方法產(chǎn)生的功耗僅為其1/2,,但需要增加一個電源。同時,,它對電源的要求有些特別,。首先,其輸出需要為驅(qū)動器電壓(VDD)的一半,;其次,,它需要同時輸出電流和汲取電流。當(dāng)驅(qū)動器輸出電壓為低時,,電流來自 VTT 電源,。然而,當(dāng)驅(qū)動器為高電平時,,電流流入電源,。最后,電源還需要在系統(tǒng)數(shù)據(jù)變化時在各模式之間轉(zhuǎn)換,,且必須提供低源阻抗,,直到接近系統(tǒng)的時鐘速率,。

    根據(jù)端接電阻、時鐘頻率和系統(tǒng)電容,,確定峰值功耗相對容易,。估算平均功耗要更困難一點(diǎn),它可以比 1/10 峰值功耗低好幾倍,。由于系統(tǒng)為動態(tài)且沒有真正固定不變的時鐘率,,并非每個周期都對數(shù)據(jù)計(jì)時,而且會有一些三態(tài)的器件,,因此您需要考慮所有這些因素,。

    平均電流是驗(yàn)證系統(tǒng)測量的一個重要數(shù)值,因?yàn)樗鼘Υ_定正確的電源拓?fù)浜苤匾?。例如,,您可能會在開關(guān)式電源低功耗和線性穩(wěn)壓器的低成本和小體積之間進(jìn)行權(quán)衡。1 顯示了開關(guān)式電源和線性穩(wěn)壓器在組件數(shù)目,、面積要求,、功耗和成本等方面的對比情況。該表適用于可輸出 3 安峰值電流的一些穩(wěn)壓器,。有趣的是,,如果峰值電流一直存在的話,就很難處理高功耗,。建立 DC 電流將有助于做出正確的選擇,。很明顯,從各個方面來看,,線性穩(wěn)壓器都是更佳的選擇,。

1 線性方法體積更小、成本更低但不如開關(guān)式電源高效,。

參數(shù)

線性

開關(guān)

組件數(shù)目

4

16

電路面積(平方英寸)

¼

1

效率(0.25 A)

50 %

88 %

效率(3A)

50 %

90 %

功耗(0.25 A)

0.2 W

0.02 W

功耗(3A)

2.3 W

0.25

環(huán)路帶寬

1 MHz

50 kHz

成本

X

2 X

    DDR 電源面臨的一個巨大挑戰(zhàn)是在高瞬態(tài)負(fù)載極端情況下如何控制輸出電壓,。如1 所示,線性方法擁有比開關(guān)方法更寬的控制帶寬,。因此,,它使用更小的電容器來控制輸出阻抗。例如,,3 安負(fù)載下要將輸出控制在40mV 以內(nèi),,交叉頻率的輸出阻抗需要小于 0.013 Ohms,相當(dāng)于約 10 uF電容,。50 kHz下線性控制環(huán)路關(guān)閉的開關(guān)式電源使用 200 uF的電容,,從而帶來更多的成本和電路板面積(參閱《電源設(shè)計(jì)小貼士#10》)

    總之,DDR 內(nèi)存通過同時對時鐘兩個沿的數(shù)據(jù)計(jì)時提高了系統(tǒng)速度,帶來更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,。由于是高頻運(yùn)行,,要求使用端接電阻器來降低電壓反射,。通過將一端同一半電源電壓的電壓連接,,可以最小化端接的損耗。這種電源需要能夠輸出或者汲取電流,,同時還必須具有高交叉頻率,,來最小化電容器要求。如果升高的功耗在可接受范圍以內(nèi),,則端接電源的線性穩(wěn)壓器方法可以節(jié)省成本和減小體積,。

    下一次,我們將討論一些簡單的 FET 柵極驅(qū)動電路,,敬請期待,。

    如欲了解本文及其他電源解決方案的更多詳情,敬請?jiān)L問:www.ti.com.cn/power,。

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