《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于波形比對(duì)的IBIS模型參數(shù)修正
來(lái)源:微型機(jī)與應(yīng)用2012年第2期
賈樹(shù)恒,,林愛(ài)英,,袁 超
(河南農(nóng)業(yè)大學(xué) 理學(xué)院,河南 鄭州450002)
摘要: PCB板前仿真通常采用提取相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),,通過(guò)指派相應(yīng)IBIS模型實(shí)現(xiàn)反射,、串?dāng)_等噪聲的檢測(cè)和電路優(yōu)化。在實(shí)際仿真中,,針對(duì)由IBIS模型不準(zhǔn)確性造成的仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果不吻合的情況,,提出調(diào)整IBIS模型參數(shù)使仿真結(jié)果適應(yīng)測(cè)試結(jié)果的方案,達(dá)到IBIS模型修正的目的。通過(guò)多次驗(yàn)證,,修正的IBIS模型同樣可提高其他電路仿真精度,。
Abstract:
Key words :

摘  要: PCB板前仿真通常采用提取相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),,通過(guò)指派相應(yīng)IBIS模型實(shí)現(xiàn)反射、串?dāng)_等噪聲的檢測(cè)和電路優(yōu)化,。在實(shí)際仿真中,,針對(duì)由IBIS模型不準(zhǔn)確性造成的仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果不吻合的情況,提出調(diào)整IBIS模型參數(shù)使仿真結(jié)果適應(yīng)測(cè)試結(jié)果的方案,達(dá)到IBIS模型修正的目的,。通過(guò)多次驗(yàn)證,,修正的IBIS模型同樣可提高其他電路仿真精度。
關(guān)鍵詞: 信號(hào)完整性,;IBIS,;仿真;比對(duì)

    IBIS是為了適應(yīng)板級(jí)仿真和系統(tǒng)級(jí)仿真的需求而提出的一種行為級(jí)的模型標(biāo)準(zhǔn)[1],。用IBIS模型進(jìn)行仿真分析和電路優(yōu)化,,要保證仿真數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠,最基本的要求就是模型質(zhì)量必須是準(zhǔn)確可靠的,。IBIS模型的準(zhǔn)確性直接影響到仿真的結(jié)果和電路設(shè)計(jì)的成敗,。IBIS模型一般可由SPICE模型轉(zhuǎn)換而得,而SPICE的資料與芯片制造有絕對(duì)的關(guān)系,,所以同樣一個(gè)器件不同芯片廠商提供,,其SPICE的資料是不同的,進(jìn)而轉(zhuǎn)換后的IBIS模型內(nèi)的資料也會(huì)隨之而異,。目前各種方式得到的模型或多或少都有一些錯(cuò)誤,,包括語(yǔ)法錯(cuò)誤,、非單調(diào)性乃至IBIS參數(shù)錯(cuò)誤等,。
    因此,在對(duì)PCB整板已經(jīng)進(jìn)行過(guò)仿真的前提下,,如何根據(jù)板級(jí)同級(jí)別的測(cè)試結(jié)果對(duì)IBIS模型進(jìn)行修正成為了PCB設(shè)計(jì)亟待解決的問(wèn)題,。
1 IBIS模型修正現(xiàn)狀
    IBIS模型數(shù)據(jù)主要包括波形的I/V數(shù)據(jù)和模型的電氣參數(shù)。波形的I/V數(shù)據(jù)決定了波形電壓,、電流點(diǎn)的坐標(biāo)位置,,電氣參數(shù)影響到波形的變化率和拐點(diǎn)的位置。目前,,I/V數(shù)據(jù)的點(diǎn)數(shù)和數(shù)據(jù)的精確度仍沒(méi)有合適的修正軟件,,僅能通過(guò)EDA軟件對(duì)波形進(jìn)行分析,通過(guò)SPICE模型或者真實(shí)數(shù)據(jù),,修改相應(yīng)的數(shù)據(jù)點(diǎn),,使其滿足I/V變化的單調(diào)性和真實(shí)性。
2 IBIS修正的可行性
    采用IBIS模型作為PCB板拓?fù)浞抡娴尿?qū)動(dòng)和接收端信號(hào)的仿真波形與IBIS模型的參數(shù)有很大的關(guān)聯(lián)性[2,,3],。如果IBIS模型參數(shù)和電路的SPICE參數(shù)相同,仿真的波形符合測(cè)試的波形,否則可能相差很大,。通過(guò)對(duì)IBIS模型參數(shù)的調(diào)整,,從而改善仿真波形,說(shuō)明修正的可行性,。
2.1 C_comp對(duì)波形影響
    通常采用s2ibis3建模IBIS時(shí),,只提取VI/VT曲線,而不會(huì)仿真提取C_comp,,使用的是個(gè)默認(rèn)值,。因此C_comp的數(shù)值對(duì)仿真波形存在影響。
    C_comp是硅晶元電容,,它是不包括封裝參數(shù)的由輸出Pad,、鉗位二極管引起的輸出電容。產(chǎn)生的三個(gè)效應(yīng)分別為[4]:(1)對(duì)傳輸線匹配阻抗的影響,;(2)對(duì)濾波特性的影響,;(3)對(duì)VT曲線斜率的影響。在此主要就C_comp對(duì)VT曲線斜率的影響進(jìn)行分析,,首先看該電容是如何對(duì)VT曲線產(chǎn)生影響的:

 


4 修正實(shí)現(xiàn)與結(jié)果分析
    選取測(cè)試樣板CDCV304,,提取輸出緩沖器的拓?fù)洹Mㄟ^(guò)原始波形比對(duì)計(jì)算得到差異參數(shù),,如表1模型驗(yàn)證所示,,測(cè)試波形的峰值高于通過(guò)IBIS模型得到的仿真波形,通過(guò)IBIS參數(shù)調(diào)整修正仿真波形如圖4所示,,通過(guò)手動(dòng)和自動(dòng)修正后,,得到表1修正結(jié)果。通過(guò)比較得出,,波形差異減小,。

    經(jīng)過(guò)多次實(shí)驗(yàn),把修改的IBIS模型指派到不同的IC上,,多次比對(duì)后,,修改后的模型同樣可以減小波形的誤差,達(dá)到修正的目的,。
    該方案對(duì)IBIS模型的修正同樣存在很多難題未解決,,如誤差處理參數(shù)僅僅通過(guò)DA、DP,、DAI,、DPI的計(jì)算,沒(méi)有給出多種可供選擇的收斂方法,;對(duì)于圖形的比對(duì)沒(méi)有設(shè)計(jì)更精確的方案,;并且參數(shù)的修改多是采用經(jīng)驗(yàn)公式,,相比SPICE參數(shù)存在很多誤差。結(jié)合以上問(wèn)題,,本課題還需要深入研究Cadence對(duì)IBIS模型仿真模式,。
參考文獻(xiàn)
[1] VARMA A K,STEER M.Improving behavioral IO buffer  modeling based on IBIS[J].IEEE Transactions on Advanced  Packaging,,2008,,31(4):711-721.
[2] BOGATIN E,著.信號(hào)完整性分析[M].李玉山,,李麗萍,,譯.  北京:電子工業(yè)出版社,2005.
[3] BUCHANAN J E.Signal and power integrity in digital  systems[M].McGraw-Hill Book Company,,1995.
[4] MIRMAK M.Issues with C_comp and differential multistage IBIS models[C].IBIS Summit Design Con East,,2004.
[5] WANG L.Waveform comparison & S2IBIS3 roadmap[C].IBIS-Santa Clara,CA,,USA,,Design Con,2008.

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