IDT 推出全球首款針對高性能應(yīng)用的壓電 MEMS 振蕩器
2012-05-11
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布,,已推出全球首款針對高性能通信,、消費、云和工業(yè)應(yīng)用的CrystalFree™壓電MEMS(pMEMS™)LVDS / LVPECL振蕩器,。IDT 的新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1 皮秒的相位抖動運行,,使其成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器(XO)的理想替代。
IDT 的4M 系列高性能LVDS / LVPECL振蕩器利用IDT 專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術(shù),,讓 IDT 能夠迅速在出廠時編程所需的輸出頻率,,無需微調(diào)昂貴的晶體。此外,,由于pMEMS 的本征諧振頻率遠(yuǎn)高于石英晶體,,4M 振蕩器能夠以更低的成本實現(xiàn)更高的頻率而無需損耗關(guān)鍵性能。4M 系列是 IDT 廣泛 MEMS-based器件組合的首款產(chǎn)品,,將為客戶提供便利,、精確和低抖動的計時參考。
IDT 公司副總裁兼計時與同步部門總經(jīng)理Fred Zust 表示:“作為計時領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,,我們的客戶一直期望IDT 的pMEMS 技術(shù)能夠擴(kuò)展至通信這樣的高性能應(yīng)用,,通信是40 億美元頻率控制市場的重要細(xì)分市場。IDT 專利的pMEMS 諧振器技術(shù)將壓電材料的強(qiáng)機(jī)電耦合與單晶硅的穩(wěn)定性和低阻尼相結(jié)合,,允許我們憑借無與倫比的性能和可靠性實現(xiàn)便利且具有成本效益的XO 替代,。這些產(chǎn)品與我們屢獲殊榮的固態(tài)振蕩器相得益彰,可提供完整的頻率控制產(chǎn)品組合,,從而在不斷增加的細(xì)分市場中替代石英器件,。”
IDT 的4M 振蕩器可在-40°C 至 85°C的廣泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)以 ±50 ppm的頻率精度運行。器件支持低壓差分信號(LVDS)和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯(LVPECL),,頻率高達(dá) 625MHz,,可滿足大多數(shù)通信、網(wǎng)絡(luò)和高性能計算應(yīng)用的嚴(yán)格要求,。除了 7.0 x 5.0 mm(7050)尺寸,,IDT 的 pMEMS 振蕩器還提供 5.0 x 3.2 mm(5032)小型標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝,,可節(jié)省成本并在高密度的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒎庋b尺寸降至最低。經(jīng)過設(shè)計,,它們與傳統(tǒng)的XO 管腳兼容,,使其成為理想的升級替代解決方案。
供貨
IDT 的4M 振蕩器已向合格客戶提供樣品,,并提供基于頻率,、電壓、輸出類型和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的多種配置,。欲了解IDT CrystalFree pMEMS 振蕩器的更多信息,,請訪問:www.idt.com/go/MEMS。
關(guān)于IDT 公司
IDT 公司擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù),,并且運用這些模擬和數(shù)字優(yōu)勢技術(shù)為廣大終端用戶提供了大量優(yōu)化的,、豐富的、創(chuàng)新性的系統(tǒng)級解決方案,。IDT 在計時,、串行交換電路和傳輸接口電路方面位于全球市場的領(lǐng)先地位。在通信,、計算和消費芯片市場,,IDT 發(fā)揮出模擬和系統(tǒng)設(shè)計的專長,為客戶提供了各種應(yīng)用廣泛,、性能優(yōu)化的混合信號解決方案。IDT 公司總部位于美國加利福尼亞州圣荷塞,,在全球各地設(shè)有設(shè)計中心,、生產(chǎn)基地和銷售機(jī)構(gòu)。IDT 股票在納斯達(dá)克全球精選股票市場上市,,代號為“IDTI”,。欲了解更多IDT 詳情,敬請登陸http://zh.idt.com或訪問Facebook,、LinkedIn,、Twitter和YouTube。