TSMC日前推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝,，將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅動集成電路產(chǎn)品。

      此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍,，可支持多種LED的應用,，包括： LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器,、一般照明與車用照明等,，且工藝橫跨0.6微米至0.18微米等多個世代，并有數(shù)個數(shù)字核心模組可供選擇,，適合不同的數(shù)字控制電路閘密度,。此外，也提供CyberShuttleTM共乘試制服務,，支持0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證,。

     借著新工藝所提供的多項整合特色，可減少系統(tǒng)產(chǎn)品的物料清單,。不只強固的高電壓DMOS提供MOSFET開關整合,，降低零組件數(shù)目外,，其他可被整合的零組件還包括：高電壓雙載子電晶體、高電壓/高精密電容器,、高電阻多晶硅齊納二極體(Zener diode)等,，也可降低外部零組件數(shù)，并顯著地縮小電路板的面積,。

    DMOS工藝支援專業(yè)集成電路制造中領先的汲極至源極導通電阻(Rdson)效能(例如： 對一特定的60V NLDMOS 組件,，當BV>80V 時，其Rdson 為 72 mΩ- mm2 )以及其高電流驅動能力,，可藉由組件尺寸的優(yōu)化來提升功率效能,；強固的安全操作區(qū)域(SOA)也能讓功率開關與驅動電路更為理想；更多詳細的特性分析亦可作為有用的參考,，使 IC 設計能達到最佳的芯片尺寸及設計預算,。

      在COMS方面，5伏特工作電壓能支持類比脈沖寬度調變器(Pulse Width Modulation controller)的設計,，而2.5伏特及1.8伏特的邏輯核心,，則通用于較高層次的數(shù)字整合。除此之外,，與邏輯線路相容,、單次寫入及多次寫入均可的記憶體選項，亦可提供強化的數(shù)字程序設計使用,。

     TSMC工業(yè)電子開發(fā)處劉信生處長指出，就驅動組件整合來說,，新的LED驅動IC之BCD工藝是非常尖端的技術,，其相關的工藝設計套件(PDKs)強調高度精準的SPICE模型，提供單芯片設計更多的方便性,。除此之外,，Mismatching Model可協(xié)助提升目前在多通道 LED驅動器設計上的精準度。