2013 年4 月23 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK^® SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET^®功率MOSFET---SiR872ADP,，將該公司的ThunderFET^®技術(shù)的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導通電阻低至18mΩ和23mΩ,，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC,。

今天發(fā)布的器件適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器,、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源,、太陽能微逆變器和無刷直流電機的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)和次級側(cè)的同步整流,。在這些應用當中，SiR872ADP的導通電阻比前一代器件低45%,，可降低傳導損耗,，提高系統(tǒng)的整體效率。

SiR872ADP在10V和7.5V下導通電阻與柵極電荷的乘積分別為563mΩ-nC和524mΩ-nC,，該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器應用中表征MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM),。器件的FOM可減低傳導和開關(guān)損耗，從而提高總的系統(tǒng)效率,。這款MOSFET的性能高于很多前一代器件，有可能減少總的元器件數(shù)量,，并簡化設計,。

SiR872ADP進行了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定,，符合RoHS指令2011/65/EU,。這款器件屬于近期發(fā)布的100V SiR846ADP和SiR870ADP，及80V SiR826ADP ThunderFET MOSFET之列,，讓設計者可以從采用PowerPAK SO-8封裝的多款中等電壓器件中進行選擇,。借助ThunderFET、TrenchFET Gen IV和E/D系列MOSFET,，Vishay能夠滿足所有功率轉(zhuǎn)換應用的需求,。

新款MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周到十四周,。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”,，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器,、電感器,、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè),、計算,、汽車、消費,、電信,、軍事、航空航天,、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com,。