Vishay利用PowerPAK®封裝的新款-40V和-30V MOSFET擴充Gen III P溝道產(chǎn)品
2013-07-15
日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件,，擴充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET,。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)較低的導通電阻,，是首款-40V P溝道Gen III器件；SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET,。
SiS443DN和SiSS27DN適用于24V,、19V和12V負載開關，以及移動計算,、智能手機和平板電腦中電源管理等各種應用的適配器和電池開關,。這些器件的低導通電阻在業(yè)內(nèi)領先，使設計者能夠在電路里實現(xiàn)更低的壓降,，更有效地使用能源,，并延長電池使用時間。
在需要更高電壓的應用里,，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導通電阻,。在導通電阻非常重要的場合,，SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導通電阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝,。
SiS443DN和SiSS27DN進行了100%的Rg和UIS測試,。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU,。
器件規(guī)格表：
|
型號 |
SiSS27DN |
SiS443DN |
|
|
VDS (V) |
-30 |
-40 |
|
|
VGS (V) |
20 |
20 |
|
|
RDS(ON) (mΩ) @ |
10 V |
5.6 |
11.7 |
|
6 V |
7 |
- |
|
|
4.5 V |
9 |
16 |
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封裝 |
PowerPAK 1212-8S |
PowerPAK 1212-8 |
新款P溝道MOSFET現(xiàn)可提供樣品,，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周,。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”,，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器,、電感器,、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè),、計算,、汽車、消費,、電信,、軍事、航空航天,、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者,。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com,。