聯(lián)電擴大記憶體布局,，規(guī)劃與大陸泉州市政府合作,，在泉州興建12寸晶圓廠,，切入利基型記憶體代工,。據(jù)悉,，聯(lián)電內(nèi)部已成立專案小組,，擴大招募記憶體研發(fā)工程師,，將先在南科設(shè)立小型試產(chǎn)線,，全力搶進大陸記憶體市場商機,。

　　聯(lián)電發(fā)言體系昨(17)日證實,，聯(lián)電已針對切入利基型記憶體代工成立專案小組,，并由加入聯(lián)電擔(dān)任副總經(jīng)理的前瑞晶總經(jīng)理陳正坤領(lǐng)軍。至于技術(shù)授權(quán),、與對岸地方單位合資計畫,，及建廠進度與投資金額等，將待雙方簽訂合約后才能公布,。

　　聯(lián)電未透露大陸記憶體代工業(yè)務(wù)細節(jié)，但已透過國內(nèi)人力銀行網(wǎng)站,，擴大對外招募記憶體研發(fā)工作師,，透露這次擴大記憶體布局動作相當(dāng)積極,。

　　半導(dǎo)體設(shè)備商透露，聯(lián)電本周將召集記憶體制程設(shè)備廠商開會,，并針對在南科設(shè)立小型試產(chǎn)線，進行相關(guān)設(shè)備初期報價,，相關(guān)研發(fā)作業(yè)初期以臺灣為基地，待與對岸的合資計畫簽訂之后,，將可銜接相關(guān)作業(yè),。

　　據(jù)了解,，聯(lián)電本來就擁有嵌入式快閃記憶體技術(shù)，網(wǎng)羅陳正坤加入聯(lián)電集團,，即規(guī)劃除了嵌入式快閃記憶體之外,，切入利基型DRAM領(lǐng)域,，主因記憶體產(chǎn)業(yè),，包括儲存型快閃記憶體(NAND Flash)及DRAM,，都列入大陸重點發(fā)展方針。

　　聯(lián)電看好大陸官方將記憶體產(chǎn)業(yè)列入重點發(fā)展帶來的龐大商機,，該公司與廈門市政府合資的聯(lián)芯半導(dǎo)體,，原本也打算爭取列入大陸國家級NAND Flash和DRAM指標(biāo)企業(yè)，但最后并未成局,，而是由清華紫光旗下的同方國芯出線,。

　　聯(lián) 電并未因此放棄在大陸設(shè)立記憶體代工廠，在泉州市政府積極爭取與聯(lián)電合資后,，雙方將朝在泉州設(shè)立大陸南方首座記憶體代工業(yè)務(wù),，同時協(xié)助大陸相關(guān)利基型記憶 體IC設(shè)計公司成立，建構(gòu)完整垂直生態(tài)供應(yīng)鏈的方向邁進,，迎合大陸發(fā)展各項3C產(chǎn)品和物聯(lián)網(wǎng)對記憶體需求成長帶來的商機。

　　圖/經(jīng)濟日報提供