華虹半導體有限公司今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn),，技術(shù)實力和競爭力再度加強。

　　華虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎(chǔ)上,，于90nm G2 eFlash工藝平臺實現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升,。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸,，較第一代減小約25%,，為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸。此外,，90nm G2采用了新的Flash IP設(shè)計架構(gòu),，在保證高可靠性 (即10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力) 的同時，提供了極小面積的低功耗Flash IP,。因此,，90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體芯片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數(shù)量,，尤其對于具有高容量eFlash的芯片產(chǎn)品,，90nm G2 eFlash的面積優(yōu)勢更為顯著。值得一提的是,，90nm G2 eFlash在第一代的基礎(chǔ)上又縮減了一層光罩,，使得制造成本更低。

　　目前,，90nm G2 eFlash已實現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn),，成功用于大規(guī)模生產(chǎn)電信卡芯片，并將為智能卡芯片,、安全芯片產(chǎn)品以及MCU等多元化產(chǎn)品提供更具性價比的芯片制造技術(shù)解決方案,。

　　華虹半導體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產(chǎn)，標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功,。嵌入式非易失性存儲器技術(shù)是我們的戰(zhàn)略重點之一，長期以來憑借著高安全性,、高穩(wěn)定性,、高性價比以及技術(shù)先進性在業(yè)界廣受認可。作為全球領(lǐng)先的智能卡IC代工廠,，華虹半導體將堅持深耕,，不斷優(yōu)化工藝，升級平臺,，持續(xù)領(lǐng)航智能IC卡代工領(lǐng)域,，并大力發(fā)力物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等高增長新興市場,?！?/p>

　　關(guān)于華虹半導體有限公司

　　華虹半導體（股份代號：1347.HK）是全球具領(lǐng)先地位的200mm純晶圓代工廠，主要專注于研發(fā)及制造專業(yè)應用的200mm晶圓半導體,，尤其是嵌入式非易失性存儲器及功率器件,。集團的技術(shù)組合還包括RFCMOS、模擬及混合信號,、電源管理及MEMS等若干其他先進工藝技術(shù),。根據(jù)IHS的資料,，按2016年銷售收入總額計算，集團是全球第二大200mm純晶圓代工廠,。集團生產(chǎn)的半導體被應用于不同市場（包括電子消費品,、通訊、計算機,、工業(yè)及汽車）的各種產(chǎn)品中,。利用自身的專有工藝及技術(shù)，集團為多元化的客戶制造其設(shè)計規(guī)格的半導體,。通過位于上海的3座晶圓廠,，集團目前的200mm晶圓加工能力在中國名列前茅，截至2017年9月30日合計約為每月166,000片,。同時,，考慮到工藝的性能、成本及制造良率,，集團亦提供設(shè)計支持服務,，以便對復雜的設(shè)計進行優(yōu)化。

　　華虹半導體有限公司現(xiàn)時主要業(yè)務透過位于上海的子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）開展,。而華虹宏力由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導體制造有限公司新設(shè)合并而成,。