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格芯成都廠停擺,,全球晶圓代工業(yè)版圖或生變動

2019-03-08
關(guān)鍵詞: 晶圓 格芯 制程 集成電路

全球第二大晶圓代工廠—格芯近來營運頻傳利空消息,除2018年下半年宣布不再追求7奈米先進制程的開發(fā),,且2019年1月底將位于新加坡Tampines的Fab 3E 8吋晶圓廠售予世界先進,,2月中旬又傳出格芯與成都市政府在高新區(qū)的12吋廠投資計劃停擺,此已是格芯先前投資重慶喊卡后,,投資大陸再次失利的狀況,,除反映近期晶圓代工景氣情勢反轉(zhuǎn)向下,影響投資計劃,,且面臨大陸企業(yè)逐步崛起的競爭之外,,更加凸顯格芯本身營運遭遇困境,特別是阿布達比資金的抽離,、大客戶AMD轉(zhuǎn)而投向臺積電7奈米制程,、格芯跳躍式的制程研發(fā)面臨瓶頸等,均使得格芯的晶圓代工制程結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型困難重重,。

整體來說,,全球晶圓代工業(yè)版圖的分配上,未來依舊以臺積電為首,,且2019年市占率將有機會持續(xù)提高至58%左右,,主要是支援EUV的7奈米強化版制程將于2019年第二季進入量產(chǎn),且有更多智慧型手機,、高效能運算,、車用電子等晶片會導(dǎo)入7奈米,而臺積電5奈米制程則于2019年上半年進行風險性試產(chǎn),,意謂即便當前面臨半導(dǎo)體業(yè)景氣出現(xiàn)明顯趨緩態(tài)勢,,但2019年臺積電先進制程的推進仍如期進行,。

反觀全球晶圓代工市占率介于5至10%的第二至五大廠商,2019年版圖將互有消長,,其中格芯市占率恐由2018年的9%向下滑落,,聯(lián)電市占率則須視Micron控告公司與福建晉華案的訴訟變化,以及公司執(zhí)行追求報酬為導(dǎo)向的投資策略,、專注于在成熟特殊制程的技術(shù)優(yōu)勢成效而定,,而Samsung、中芯國際則有反攻向上的機會,,其中大陸第一大晶圓代工廠──中芯國際在成熟制程上多元戰(zhàn)略發(fā)展,,已有效的減少大幅投入先進生產(chǎn)線而產(chǎn)生的財務(wù)折舊壓力,況且在14奈米FinFET技術(shù)開發(fā)出現(xiàn)進展,,第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進入客戶導(dǎo)入階段,,同時28奈米HKC+技術(shù)順利開發(fā)完成,意謂在國家政策和集成電路大基金的支持之下,,中芯國際將持續(xù)背負推進對岸先進晶圓制程的任務(wù),。至于包括Tower Jazz、力晶,、世界先進等,,2019年其全球晶圓代工市場占有率均分別不超過3%。


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