今日，華虹半導(dǎo)體官方宣布,，其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　據(jù)介紹,，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%,，創(chuàng)下了全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀(jì)錄。Flash IP更具面積優(yōu)勢(shì),，光罩層數(shù)進(jìn)一步減少,。同時(shí)，可靠性指標(biāo)方面,，可達(dá)到10萬(wàn)次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能,。

　　華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：華虹半導(dǎo)體未來(lái)將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場(chǎng),，同時(shí)不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化,，將200mm現(xiàn)有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)向300mm延伸，更好地服務(wù)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司,，滿足市場(chǎng)需求,。