《電子技術(shù)應(yīng)用》
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后SoC時(shí)代或?qū)⒂瓉?lái)Chiplet拐點(diǎn)

2020-03-02
來(lái)源:癡笑
關(guān)鍵詞: SoC時(shí)代 chiplet

  ISSCC 2020 頂著新冠疫情,,于2月16日開(kāi)始在舊金山地下室繼續(xù)召開(kāi),。開(kāi)會(huì)的結(jié)果就是會(huì)議結(jié)束后,舊金山市宣布進(jìn)入面的疫情緊急狀態(tài),。()雖然今年沒(méi)有去開(kāi)成會(huì),,但是不影響小編的擼文章/Slides進(jìn)程。許多公眾號(hào)都已經(jīng)把今年ISSCC的核心焦點(diǎn)放在Chiplet——這個(gè)說(shuō)新不新,,卻再次綻放光芒的設(shè)計(jì)方法——上,。小編也在此分享個(gè)人關(guān)于Chiplet對(duì)于集成電路生態(tài)、體系結(jié)構(gòu),、模擬電路影響的一些思考,。

  導(dǎo)讀一:雖然本文有著科普的初心,,但是為了節(jié)約篇幅,對(duì)于Chiplet一些基礎(chǔ)知識(shí)大家可參考黃老師的《ISSCC 2020看Chiplet研究現(xiàn)狀》,,我們的《ISSCC 2020 觀感:高級(jí)封裝正在成為潮流》,,以及唐博士的《從AI Chip到AI Chiplet》,本文不贅述技術(shù)細(xì)節(jié),。

  導(dǎo)讀二:本文的觀點(diǎn)可能比較科幻,,純屬個(gè)人臆測(cè),大家自行決定是否相信,,這里先把結(jié)論羅列出來(lái)(1)Chiplet拐點(diǎn)將帶領(lǐng)集成電路生態(tài)將邁入“打土豪分田地"的新時(shí)期,;(2)Chiplet拐點(diǎn)面前,新形態(tài)體系結(jié)構(gòu)形態(tài)的將提倡富含想象力的小而美,,并且“去中心化”,;(3)Chiplet拐點(diǎn)將誕生一類新型態(tài)的富含模擬電路芯片——有源基板,它將終結(jié)低電壓低增益低匹配的先進(jìn)工藝模擬設(shè)計(jì)困局,。

  打土豪,,分田地

  如果用一個(gè)字來(lái)概來(lái)涵蓋單芯片片上系統(tǒng)(Monolithic SoC)方案與芯粒(Chiplet)方案,我會(huì)選天朝人民最耳熟能詳?shù)摹安稹弊?。?jiǎn)而言之,,就是把原來(lái)一塊大的單芯片,拆分為多個(gè)小芯片的組和,,然后通過(guò)高級(jí)封裝重組,。以前我們也把這樣的模式稱為System-in-Package,,2.5D/3D封裝,。2015年,Marvell的老板還把這樣的模式稱為芯片界的樂(lè)高——抹茶計(jì)劃(Mochi),。

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  但是SiP早期只是滿足不同工藝間芯片的鏈接,,比如CPU/GPU和DRAM的異構(gòu)集成。所以當(dāng)時(shí)Chiplet被提出以后,,也就是少數(shù)幾個(gè)學(xué)有余力的學(xué)霸間的花式表演,。SoC在過(guò)去的很長(zhǎng)一段時(shí)間,仍然是主流,,Chiplet拐點(diǎn)從未真正到來(lái),。

  然而,世界發(fā)展地太快,。AI來(lái)了,,貪欲來(lái)了,土豪炫富心態(tài)也來(lái)了,。Monolithic SoC芯片在過(guò)去幾年進(jìn)入了“貧窮限制了想象力”的新境界——

  首先推波助瀾的英偉達(dá)黃教主,,收到人工智能的助力,英偉達(dá)的旗艦GPU從100mm2,開(kāi)始指數(shù)級(jí)發(fā)展,。去年發(fā)布的Volta架構(gòu)核彈級(jí)GPU——GV100的面積率先突破800mm2大關(guān),,據(jù)說(shuō)今年即將推出的Ampere系列新核彈級(jí)GPU將在7nm工藝達(dá)到826mm2 【瑟瑟發(fā)抖地  】。

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  然后就是那些不要face的初創(chuàng)小妮子們,,為了造一個(gè)個(gè)大新聞,,變得毫無(wú)”節(jié)止“(此處不帶貶義)—— 其中最有名的當(dāng)推硅谷初創(chuàng) Cerebras Systems的AI芯片,面積達(dá)到了令人發(fā)指的46,225mm2,,(你沒(méi)有看錯(cuò),,那是逗號(hào)!)片上SRAM達(dá)到18GB 【我只能說(shuō)你咋不上天呢,?】:

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  如此大面積的芯片,,有良率么,有意義么,?下圖統(tǒng)計(jì)了良率與面積大小的關(guān)系,,對(duì)于小于10mm2的芯片而言,monolithic方案和chiplet方案的良率差別很小,,但是一旦芯片面積超過(guò)200mm2,,monolithic方案的良率會(huì)比chiplet方案低超過(guò)20%??梢灶A(yù)期,,在700-800mm2的面積上,monolithic方案的良率很可能不超過(guò)10%,。

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  由此,,對(duì)于要商業(yè)化賣錢的芯片而言成本問(wèn)題就活生生地體現(xiàn)了。假設(shè)研發(fā)費(fèi)用是相同的,,那么可以分?jǐn)傃邪l(fā)一次性費(fèi)用NRE的芯片數(shù)量,,chiplet會(huì)比monolithic高3-4倍。如果忽略制造成本,,但chiplet方案的成本價(jià)將遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于monolithic方案,。

  AMD公司在ISSCC2020年上就以其多核架構(gòu)為例子,對(duì)比了AMD服務(wù)器級(jí)別設(shè)計(jì)中,,采用chiplet方案和monolithicSoC方案的成本,,可見(jiàn)芯片越大monlithic方案和的成本比在chiplet高的越多,并且能保持在一倍以上,。

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  誠(chéng)然,,土豪們與新貴們依舊可以炫富。但是chiplet卻是高性能芯片(組)打開(kāi)市場(chǎng)化,,完成生態(tài)的最有效捷徑,。

  正所謂,,他強(qiáng)由他強(qiáng),清風(fēng)拂山崗,;他橫由他橫,明月照大江,;他自狠來(lái)他自惡,我自一口真氣足?!靶《馈钡膶S眯酒瑐?,只要能搭上chiplet高速列車,終究笑到最后才是王道,。

  去中心化的新架構(gòu)形態(tài)

  故事講到這里,,看官們你或許會(huì)問(wèn),chiplet是不是只會(huì)給龐然大物帶來(lái)沖擊,?小打小鬧的呢,?我在過(guò)去的很長(zhǎng)一段時(shí)間,也簡(jiǎn)單的認(rèn)為,,chiplet是是巨頭們的樂(lè)高玩具,,學(xué)術(shù)界的玩家既玩不起,也沒(méi)啥必要玩,。

  直到今年的ISSCC,,當(dāng)頭一棒點(diǎn)醒了我。

  還用樂(lè)高做例子,。樂(lè)高除了有圖紙按圖索驥的標(biāo)準(zhǔn)玩法,,還有給出元模塊自定義樂(lè)高的高級(jí)版——Lego MOC (My Own Creations),每年樂(lè)高官方都會(huì)有Lego MOC的最佳評(píng)比,。小編某天還在B站抖音刷到過(guò)一個(gè)用樂(lè)高做的洗丑襪子專用迷你洗衣機(jī),。

  即便如此,樂(lè)高迷們?nèi)匀徊蛔阋詽M足MoC的需求,,此時(shí),,3D打印的普及進(jìn)一步?jīng)_擊了樂(lè)高的世界——用戶可以自定義元積木的任何形狀,然后打印出來(lái),,以填補(bǔ)官方元間庫(kù)的不足。好事者還用Lego MOC自己打造打一個(gè)3D打印機(jī)的教程,。于是,,樂(lè)高的世界打開(kāi)了新維度的新大門~

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  當(dāng)3D打印遇上樂(lè)高M(jìn)OC

  搭樂(lè)高當(dāng)然有不同的搭法,搭chiplet也一樣,。常規(guī)方法就是按照目前高性能計(jì)算體系結(jié)構(gòu)的研究成果,,按圖索驥搭出如下類SoC的標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)構(gòu),以主控/多核CPU為核心+并行計(jì)算協(xié)處理器(GPU,,AI芯片)+ 堆疊的Memory+IO是常規(guī)操作,。(下圖來(lái)自ISSCC 2020 法國(guó)CEA的chiplet paper)

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  與常規(guī)操作相對(duì)應(yīng)的,,就是非主流殺馬特了。Chiplet的發(fā)展會(huì)催生非常多目前不存在的芯片形態(tài),,或者大大簡(jiǎn)化某些形態(tài)的芯片進(jìn)入主流平臺(tái)的過(guò)程,。

  在這個(gè)過(guò)程中,“去中心化”或?qū)⒊蔀橐粋€(gè)重要的特點(diǎn),。

  先來(lái)看AMD的Server級(jí)處理器Chiplet方案——二代EPYC,。(這家伙在7nm工藝下耗電280W,據(jù)前方記者報(bào)道,,該芯片在ISSCC現(xiàn)場(chǎng)demo用液氮冷卻云山霧罩,,遠(yuǎn)觀還以為是炊煙裊裊)

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  AMD的Chiplet方案方案,由其Ryzen系列芯片演化而來(lái),。然而,,在逐漸演化的過(guò)程中,系統(tǒng)的核心從CCX高性能計(jì)算核,,逐步變成了一顆一存儲(chǔ)和互聯(lián)為主的IOD核,。而且AMD還給IOD的互聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),起了一個(gè)“復(fù)仇者聯(lián)盟”式的名字——無(wú)限結(jié)構(gòu),,infinity fabric,。

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  而原本在系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用的處理器核心,變成了一個(gè)可以被scaling的元素:2/4/6/8,,任意數(shù)量的核心方案都可以定制,,要多少買多少,經(jīng)濟(jì)實(shí)惠,。

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  Chiplet的這種新型配置帶來(lái)的主客異位的變化是否會(huì)引發(fā)體系結(jié)構(gòu)的新一輪討論,?這種新形態(tài)下的互聯(lián)方式和存儲(chǔ)模式,還有沒(méi)有必要遵從目前主流的片上網(wǎng)絡(luò)/總線的模式,?畢竟從物理學(xué)上,,其電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已經(jīng)不一樣了。他也應(yīng)該不同于現(xiàn)在繁瑣的PCIe等一鏈接版上原件為主的橋連接方法,,畢竟還是夠近,,通信間即便需要一些協(xié)議,也應(yīng)該是簡(jiǎn)單的,。

  法國(guó)CEA在ISSCC 2020提出了他們的建議:采用如下的全數(shù)字,,全擺幅,極簡(jiǎn)的準(zhǔn)同步握手機(jī)制,,完成chiplet間通信,。chiplet間通信的延時(shí)采用延時(shí)補(bǔ)償?shù)臋C(jī)制,相比于片內(nèi)SoC的延遲,,只提高了1到3倍,,根據(jù)距離長(zhǎng)短,,完全可估計(jì)。相比于目前的LPDDR之類的協(xié)議,,無(wú)論在電路復(fù)雜度還是能效上都有顯著提高,。

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  在這種特征下,“去中心”化的設(shè)計(jì)理念是保障芯片組間可以靜態(tài)重構(gòu)的重要前提,。畢竟很可能Chiplet的主體再也不是擁有譯碼能力的處理器核心,,而是一個(gè)并沒(méi)有多少處理能力的片上網(wǎng)絡(luò)。與此同時(shí),,每一個(gè)Chiplet的鍵位上可以放芯片類型也將更加不拘一格,。除了今年ISSCC提到的微處理器,還可以是如今火爆的存算一體芯片,,領(lǐng)域?qū)S眯酒?,非典型CMOS工藝(ReRAM / MEMS / TFET / ...)的IoT芯片等等,以及更多發(fā)揮想象力的新型芯片,。只要你流的起片,,去他的超大規(guī)模SoC設(shè)計(jì)驗(yàn)證,小而美的百花齊放才是春天,。

  總之一句,,Chiplet拐點(diǎn)到來(lái)后,玩家絕不僅是土豪,,去中心化發(fā)展會(huì)讓土豪們面臨各種“特洛伊”陷阱,。

  模擬電路能擺脫scaling down噩夢(mèng)了?

  不同于AMD,,Intel和CEA設(shè)計(jì)chiplet方案時(shí),,還推出了一種全新功能定義的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)chiplet——active interposer,有源基板,。

  早期的Chiplet基板,,實(shí)現(xiàn)的功能完成芯片間的互聯(lián)和芯片pin腳到封裝pin腳的扇出功能,取代wire bond方案里面長(zhǎng)長(zhǎng)引線的寄生效應(yīng),,可以簡(jiǎn)單的理解為是密度更高,、體積更小的PCB版,也被稱為無(wú)源基板, passive interposer,。

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  但是,,今年ISSCC上法國(guó)CEA提出的有源基板卻令人眼前一亮:

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  有源基板講白了就是一顆工藝節(jié)點(diǎn)大、面積大,、能做底盤的新型芯片,由于是完整的芯片,,設(shè)計(jì)師可以自定義這顆芯片的方案,。

  在CEA的方案中,,不僅可以用于鏈接,同時(shí)通過(guò)實(shí)現(xiàn)路由功能(router)在基板上完成類片上網(wǎng)絡(luò)的互聯(lián),。更驚艷的是,,他在基板上實(shí)現(xiàn)了基于開(kāi)關(guān)電容的穩(wěn)壓電源。由于基板工藝的節(jié)點(diǎn)比高性能計(jì)算的節(jié)點(diǎn)大很多,、成本低很多,,所以,用基板工藝做一些用能量存儲(chǔ)的大容量片上電容一點(diǎn)都不心疼,。這時(shí)候也完全不用擔(dān)心先進(jìn)工藝下各種開(kāi)關(guān)的各種非理想(漏電/淺溝槽閾值調(diào)制)等非理想效應(yīng),。

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  過(guò)去十年,模擬電路工程師們被摩爾定律逼的要多慘有多慘,。Scaling下先進(jìn)工藝那低于1V的電源電壓,,(卻沒(méi)有scaling熱噪聲的幅度,SNR又不允許下降),;越來(lái)越低的輸出阻抗,,導(dǎo)致放大器的增益難以為繼;甚至是40nm后開(kāi)始的不可理喻的版圖匹配要求,,還有FinFET開(kāi)始的柵極電阻……種種麻煩都在把基于運(yùn)算放大器的傳統(tǒng)模擬電路往絕路上逼,。模擬工程師們只能調(diào)轉(zhuǎn)槍頭往Digital PLL / Digial LDO / SAR ADC / Digital PA等不少基于數(shù)字電路的模擬設(shè)計(jì)上走,可總有些電路是要靠放大器的,。

  然而chiplet卻給了讓這一困局新的思路——把適合大工藝節(jié)點(diǎn)的模擬電路放在有源基板上,。同時(shí),還包括那些占面積超大的無(wú)源器件,,這個(gè)方法同時(shí)還能將最大程度地提高先進(jìn)工藝的利用效率,,把昂貴的工藝花在刀刃上。讓做放大器的模擬工程師遠(yuǎn)離先進(jìn)工藝的噩夢(mèng),,回到亞微米時(shí)代自由發(fā)揮的黃金歲月,。

  下圖是Intel在今年ISSCC 2020的Chiplet 產(chǎn)品——lakefield的Foveros 3D封裝平臺(tái)里提到的如何布局計(jì)算芯片(Compute Die)和基板芯片(Base Die)的策略。高壓(比如高壓串行接口USB/LVDS,,用于同步的晶振),、無(wú)源、電源管理,、以及對(duì)Scaling Down不敏感的模擬電路,,還有各類經(jīng)典(溫度等)傳感器統(tǒng)統(tǒng)可放在基板大節(jié)點(diǎn)工藝上。

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  順帶提一句,,當(dāng)在選擇不同節(jié)點(diǎn)的基板時(shí),,還能發(fā)揮初異構(gòu)的功耗優(yōu)勢(shì)。比如Intel在選擇基板上用了超低漏電的節(jié)點(diǎn)(22FFL),,然后將standby的相關(guān)電路集成到大基板上去,,進(jìn)一步優(yōu)化stand功耗,。這是傳統(tǒng)SoC不具有的選項(xiàng)。

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  chiplet拐點(diǎn)也讓模擬工程師可以喘口氣,,不再被scaling down追著打了,。

  能看到這里的讀者們,你對(duì)Chiplet心動(dòng)了么,?如果您有更多comments,,歡迎留言。


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