SiC SBD 和 MOS 是目前最為常見的 SiC 基的器件,，并且 SiC MOS 正在一些領域和 IGBT 爭搶份額,。我們都知道，IGBT 結合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點,，第三代寬禁帶半導體 SiC 材料又具有優(yōu)于傳統(tǒng) Si 的特性,，那么為什么見得最多的卻是 SiC MOS，SiC IGBT 在哪兒呢,？

　　我們都知道,，Si 基 IGBT 目前依舊處于霸主地位，而隨著第三代寬禁帶半導體材料 SiC 的發(fā)展,，有關 SiC 的器件陸續(xù)出現(xiàn),，并且嘗試著取代 IGBT 應用到的相關行業(yè)。如新能源汽車,，SiC 功率器件正在全力進入的領域,，像特斯拉的 SiC MOS 并聯(lián)方案，以及各半導體廠家正在全力布局的汽車級 SiC MOS 模塊,，根據(jù)前面我們提到的 SiC 材料的特性,，更高功率、高頻率以及高功率密度的電控正在慢慢浮出水面,。既然 SiC 在材料以及 IGBT 在器件的優(yōu)勢如此明顯,，那么為什么沒有 SiC IGBT 出現(xiàn)？

　　首先,，每個企業(yè)的生存考慮到的一個關鍵因素 -- 成本,，就目前 SiC 功率器件而言，價格上并沒有太大的優(yōu)勢,，可想而知 SiC IGBT 的價格在大多數(shù)應用場合是多么的"毫無競爭力",。有些行業(yè)已經(jīng)不是技術為導向，而是成本為主要因素,，更是用不到 SiC IGBT,。就算"不差錢"的新能源汽車行業(yè)目前也僅僅覬覦 SiC MOS。所以,，成本是目前 SiC IGBT“生存”的最為關鍵的因素,！

　　那 SiC IGBT 未來最有可能先出現(xiàn)在哪兒呢？答案就是我們今天要聊到的 -- 電力電子變壓器 PET,，也稱固態(tài)變壓器 SST 或者智能變壓器 ST,。一般指通過電力電子技術和高頻變壓器的組合來實現(xiàn)具有傳統(tǒng)工頻交流變壓器功能但不限于此的新型電力電子設備,。

　　PET 一般應用于中高壓場合，電力機車牽引用的車載變流器,；智能電網(wǎng) / 能源互聯(lián)網(wǎng)以及分布式可再生能源發(fā)電并網(wǎng)等,。優(yōu)點：兼容性好、可控性高以及良好的電能質量,。下圖是基于傳統(tǒng)工頻交流變壓器和電力電子變壓器的低壓配電網(wǎng)的結構圖,大家可以體會一下什么是 PET：

　　圖片來源網(wǎng)絡,，侵刪

　　目前，PET 依舊有如下的問題或者說是瓶頸：電能轉換效率低,、功率密度低,、造價高和可靠性差等。而瓶頸產(chǎn)生的主要因素是應用其中的功率半導體器件的耐壓水平有限,，導致 10kV 電壓需要采用多單元級聯(lián)的拓撲,，從而導致了功率器件、儲能電容,、電感等數(shù)量相當?shù)凝嫶蟆?/p>

　　可見,，想要有所突破便需要更高耐壓、更低損耗的功率半導體器件誕生 --SiC IGBT!

　　由于 Si 基 IGBT 的電壓容量,、頻率上限,、允許工作溫度等，應用的 PET 沒有再多的突破,。而我們前面提到的第三代寬禁帶半導體 SiC 的優(yōu)點,，擊穿電場特別強、禁帶寬度大,、電子飽和漂移速度快,、熱導率高等，使其能夠滿足更高頻率,、更高耐壓,、更高功率等場合，可以使得目前電力電子變壓器 PET 突破瓶頸,，更上一層樓~

　　有人就會問,，那為什么 SiC MOS 不行呢？這就和我們開篇提到的,，除了材料優(yōu)勢,，還要有器件優(yōu)勢！隨著阻斷電壓的升高和運行結溫的升高,，最直觀的是 SiC MOS 的通態(tài)電阻也會大幅度增加,，導致的損耗會很大，使得其并不適合以 10kV 以上電壓的設備,。而 SiC IGBT 將會有優(yōu)越的通態(tài)特性,，以及開關速度和良好的安全工作區(qū)域,，在 10kV~25kV 的場合"大顯身手"。

　　所以,，并不是不可以,，而是存在即合理！今天的內(nèi)容希望大家能夠喜歡~